| 摘要 |
본 발명의 한 실시예에 따른 이방성 고분자 패턴 형성 방법은 제1 기판 위에 원하는 패턴을 가지는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 위에 이방성 고분자층을 적층하는 단계, 제2 기판 위에 제2 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 서로 대향하도록 정렬하는 단계, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 전압을 인가하여, 상기 이방성 고분자층에 전기장을 인가하는 단계, 그리고 상기 이방성 고분자층을 경화하는 단계를 포함한다. |
