FLOATING GATE MEMORY CELL, FLOATING GATE MEMORY ARRANGEMENT, SWITCHING CIRCUIT ARRANGEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING A FLOATING GATE MEMORY CELL

摘要

Die Erfindung betrifft eine Floating-Gate-Speicherzelle, eine Floating-Gate-Speicheranordnung, eine Schaltkreis-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer Floating-Gate-Speicherzelle. Bei der Floating-Gate-Speicherzelle sind die beiden Source-/Drain-Bereiche und die Floating-Gate-Schicht aus einem metallisch leitfähigen Material ausgebildet, und der Kanal-Bereich ist aus einem elektrisch isolierenden Material ausgebildet.