| 摘要 |
<p>Anlage und Verfahren zur Herstellung von hochreinem Quarzglas unter Verwendung von Siliziumdioxid in der Grösse von 40 Nanometer, um das den Kernbereich umschliessende Hüllglas durch äussere Beschichtung mittels radialer. Aufwachsung und hoher Aufblasgeschwindigkeit auf die Substratvorlage abzuscheiden, indem das Siliziumdioxid mittels einer Anlage über eine Pulverwaage mit Wägzellen und Förderpumpe und Förderschnecke über eine Zellradschleuse in einen Sauerstoffstrom gespeist wird, der dieses dann in die Beschichtungsanlage fördert, in der unter Zufuhr von Wasserstoff und Sauerstoff der Core-Preform-Körper erhitzt, damit sich die eingespeisten Siliziumdioxidteilchen auf dem Preformkörper niederschlagen können und dabei durch zwei Pyrometer die notwendige Temperatur gewährleistet wird sowie eines Rotlicht-Scanner-Detektorsystems für die Zufuhr der einzelnen notwendigen Gase sowie des Siliziumdioxids und für die Überwachung des Vorgangs bis zum erreichten Enddurchmesser.</p> |
