| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif de mémoire vive multicouches utilisant une trace conductrice partagée permettant l'écriture sur les cellules de la mémoire vive magnétique. Cette mémoire vive magnétique comprend N éléments de stockage magnétiques empilés (N étant supérieur à 1), chaque élément magnétique étant disposé fonctionnellement entre une paire adjacente différente de N+1 traces conductrices empilées. Dans un mode de réalisation, le dispositif de mémoire vive magnétique comprend: une première trace conductrice destinée à produire un premier champ magnétique en réponse à un courant appliqué sur ladite première trace conductrice; une deuxième trace conductrice destinée à produire un deuxième champ magnétique en réponse à un courant appliqué sur ladite deuxième trace conductrice; ainsi qu'une troisième trace conductrice destinée à produire un troisième champ magnétique en réponse à un courant appliqué sur ladite troisième trace conductrice. Un premier élément de stockage magnétique est disposé fonctionnellement entre lesdites première et deuxième traces conductrices, ce premier élément étant conçu pour stocker un bit de données utilisé en tant qu'orientation de magnétisation, et pour faire pivoter ladite orientation de magnétisation en réponse auxdits premier et deuxième champs magnétiques produits par lesdites première et deuxième traces conductrices. Un deuxième élément de stockage magnétique est disposé fonctionnellement entre lesdites deuxième et troisième traces conductrices, ce deuxième élément étant conçu pour stocker un bit de données utilisé en tant qu'orientation de magnétisation, et pour faire pivoter ladite orientation de magnétisation en réponse auxdits deuxième et troisième champs magnétiques.</p> |
