| 发明名称 |
Group iii nitride semiconductor crystal, production method thereof and group iii nitride semiconductor epitaxial wafer |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
AU2003209712(A8) |
申请公布日期 |
2003.09.04 |
| 申请号 |
AU20030209712 |
申请日期 |
2003.02.14 |
| 申请人 |
SHOWA DENKO K.K. |
发明人 |
TETSUO SAKURAI;MINEO OKUYAMA;HISAYUKI MIKI |
| 分类号 |
C30B29/38;C23C16/34;C30B23/00;C30B25/00;C30B25/02;C30B25/14;C30B28/12;C30B28/14;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/76;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01S5/323;H01S5/343;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
C30B29/38 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
