发明名称 III-V-Verbindungshalbleiter, Verfahren zu seiner Herstellung und ihn verwendendes Verbindungshalbleiterelement
摘要 Bereitgestellt wird ein ausgezeichneter p-leitender nitridartiger III-V-Verbindungshalbleiter mit ausgezeichneten elektrischen Eigenschaften, z. B. einem geringen Übergangswiderstand zu einem Elektrodenmetall, einem geringen ohmschen Widerstand usw., durch Wärmebehandlung eines mit p-leitendem Dotant dotierten nitridartigen III-V-Verbindungshalbleiters in einer wasserstoffhaltigen Gasatmosphäre mit einer spezifischen Konzentration.
申请公布号 DE10303437(A1) 申请公布日期 2003.09.04
申请号 DE2003103437 申请日期 2003.01.29
申请人 SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD. 发明人 TSUCHIDA, YOSHIHIKO;ONO, YOSHINOBU
分类号 C30B25/02;C30B29/40;H01L21/205;H01L21/324;(IPC1-7):H01L21/205;H01L33/00 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
主权项
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