发明名称 |
III-V-Verbindungshalbleiter, Verfahren zu seiner Herstellung und ihn verwendendes Verbindungshalbleiterelement |
摘要 |
Bereitgestellt wird ein ausgezeichneter p-leitender nitridartiger III-V-Verbindungshalbleiter mit ausgezeichneten elektrischen Eigenschaften, z. B. einem geringen Übergangswiderstand zu einem Elektrodenmetall, einem geringen ohmschen Widerstand usw., durch Wärmebehandlung eines mit p-leitendem Dotant dotierten nitridartigen III-V-Verbindungshalbleiters in einer wasserstoffhaltigen Gasatmosphäre mit einer spezifischen Konzentration.
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申请公布号 |
DE10303437(A1) |
申请公布日期 |
2003.09.04 |
申请号 |
DE2003103437 |
申请日期 |
2003.01.29 |
申请人 |
SUMITOMO CHEMICAL CO., LTD. |
发明人 |
TSUCHIDA, YOSHIHIKO;ONO, YOSHINOBU |
分类号 |
C30B25/02;C30B29/40;H01L21/205;H01L21/324;(IPC1-7):H01L21/205;H01L33/00 |
主分类号 |
C30B25/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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