发明名称 MOS-Gate-gesteuertes Leistungsgerät mit segementiertem Trench und erweiterter Dotierzone sowie Verfahren zur Herstellung desselben
摘要
申请公布号 DE10196760(T1) 申请公布日期 2003.09.04
申请号 DE2001196760T 申请日期 2001.10.11
申请人 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP., SOUTH PORTLAND 发明人 KOCON, CHRISTOPHER B.;GREBS, THOMAS E.;CUMBO, JOSEPH L.;RIDLEY, RODNEY S.
分类号 H01L29/749;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/00 主分类号 H01L29/749
代理机构 代理人
主权项
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