| 发明名称 | 一种P－ZnO薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的p－ZnO薄膜是以N为受主掺杂源，以Al为施主掺杂源共掺杂的p－ZnO薄膜，掺杂浓度为1.8×10<SUP>15</SUP>cm<SUP>－3</SUP>－4.5＊10<SUP>18</SUP>cm<SUP>－3</SUP>。其制备方法是利用磁控溅射法，以Zn<SUB>x</SUB>Al<SUB>1－x</SUB>为靶材，(1＞x＞0.6)，掺杂浓度可以通过调节输入的含N气体和高纯O<SUB>2</SUB>或Ar不同分压比和靶材中Al的含量来控制，掺杂浓度可控性、稳定性好。设备简单，操作方便，Al原料丰富，价格低廉。制作成本低。本发明利用施主－受主共掺生成的N－Al－Np型ZnO薄膜表面平整，晶粒大小均匀，具有择优取向。 | ||
| 申请公布号 | CN1440053A | 申请公布日期 | 2003.09.03 |
| 申请号 | CN03116007.7 | 申请日期 | 2003.03.25 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 叶志镇;袁国栋;黄靖云;曾昱嘉;赵炳辉 |
| 分类号 | H01L21/203;C23C14/08;C23C14/34 | 主分类号 | H01L21/203 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.一种p-ZnO薄膜，其特征在于它是以N为受主，以Al为施主共掺杂的p-ZnO薄膜，掺杂浓度为1.8×1015cm-3-4.5×1018cm-3。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号 | ||