| 发明名称 | 氢离子敏场效应管封装方法 | ||
| 摘要 | 一种氢离子敏场效应管封装方法，包括如下步骤：a、采用基本成型模具，该模具是由薄树脂印刷板制成；b、粘片，将切割后粘贴好的芯片置放在模具的相应位置；c、烘烤，将粘贴好芯片的模具置入烘箱内，在小于100度的温度下进行烘烤；d、超声压焊；e、注胶封装，将经过烘烤形成有氢离子敏场效应管的芯片在模具上进行注胶封装，其中暴露出所述氢离子敏场效应管的栅极；f、定型烘干；本发明具有方法相对简单，成本较低，且封装效果良好的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1120526C | 申请公布日期 | 2003.09.03 |
| 申请号 | CN99125246.2 | 申请日期 | 1999.11.30 |
| 申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 韩泾鸿;张虹 |
| 分类号 | H01L21/56 | 主分类号 | H01L21/56 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种氢离子敏场效应管封装方法，其特征在于，a、采用基本成型模具，该模具是由薄树脂印刷板制成；b、粘片，将切割后粘贴好的芯片置放在模具的相应位置；c、烘烤，将粘贴好芯片的模具置入烘箱内，在小于100度的温度下进行烘烤；d、超声压焊；e、注胶封装，将经过烘烤形成有氢离子敏场效应管的芯片在模具上进行注胶封装，其中暴露出所述氢离子敏场效应管的栅极；f、定型烘干。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村路17号 | ||