| 发明名称 | 用化学汽相沉积制作薄膜的方法和装置 | ||
| 摘要 | 一文丘里雾发生器(141、142、143、16)从一含有有机金属化合物的液态前体生成雾，其中的雾滴的直径小于1μm。雾混合后送入一气化器(160)，在该气化器中雾滴在低于该前体化合物发生分解的温度的100℃-250℃下气化。气化前体化合物在绝热管道(161、168)中在室温下由载气传送，以防止凝结和过早分解。由气化前体与氧化剂气体混合成的气态反应混合物从一喷头(184)喷入一沉积反应器中，该沉积反应器中有一加热到300℃-600℃的基片(185)。该气化前体在基片(185)上分解而在基片上生成一固体材料薄膜(860)。该薄膜(860)经500℃-900℃的高温处理，生成多晶金属氧化物材料、特别是铁电分层超点阵材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1120249C | 申请公布日期 | 2003.09.03 |
| 申请号 | CN98807069.3 | 申请日期 | 1998.07.14 |
| 申请人 | 塞姆特里克斯公司 | 发明人 | 卡洛斯·A·帕兹德阿罗;拉里·D·麦克米伦;纳拉严·索拉亚攀;杰弗里·W·培根 |
| 分类号 | C23C16/44;C23C16/40;H01L21/314 | 主分类号 | C23C16/44 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1、一种制作一集成电路(870)的方法，该集成电路包括一薄膜(860)，该方法包括下列步骤：在一沉积反应器(180)中提供一基片(185)；提供一含有一金属化合物的液态前体；形成所述液态前体的一雾；汽化所述雾而生成一汽化前体，但不造成所述金属化合物的严重过早分解，以及所述汽化前体与一氧化剂气体在所述沉积反应器(180)中在所述基片(185)上反应生成所述薄膜(860)，所述方法的特征在于，所述薄膜(860)包括铁电分层超点阵材料。 | ||
| 地址 | 美国科罗拉多 | ||