发明名称 | 贮氢合金电极及其制造方法 | ||
摘要 | 一种贮氢合金电极及其制造方法,所述贮氢合金电极系以通式Ti<SUB>a</SUB>M<SUP>1</SUP><SUB>b</SUB>Cr<SUB>c</SUB>M<SUP>2</SUP><SUB>d</SUB>L<SUB>e</SUB>(M<SUP>1</SUP>为选自Nb及Mo中的至少一种元素,M<SUP>2</SUP>为选自Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Ag、Hf、Ta、W、Al、Si、C、N、P及B中的至少一种元素,L为选自稀土类元素及Y中的至少一种元素,0.2≤a≤0.7,0.01≤b≤0.4,0.1≤c≤0.7,0≤d≤0.3,0≤e≤0.03,a+b+c+d+e=1.0)所表示的体心立方或体心正方晶体结构的贮氢合金,且由其表层部分具有Ti-Ni系合金相的粒子状活性物质所组成。 | ||
申请公布号 | CN1120534C | 申请公布日期 | 2003.09.03 |
申请号 | CN00102334.9 | 申请日期 | 2000.02.17 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 辻庸一郎;山本彻;丰口吉德;松田宏梦 |
分类号 | H01M4/38;H01M4/26 | 主分类号 | H01M4/38 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 刘立平 |
主权项 | 1.一种贮氢合金电极,所述贮氢合金电极系以下述通式所表示的体心立方或体心正方晶体结构的贮氢合金,且由其表层部分具有Ti-Ni系合金相的粒子状活性物质所组成,TiaM1bCrcM2dLe 式中,M1为选自Nb及Mo中的至少一种元素,M2为选自Fe、Co、Cu、Zn、Zr、Ag、Hf、Ta、W、Al、Si、C、N、P及B中的至少一种元素,L为选自稀土类元素及Y中的至少一种元素,0.2≤a≤0.7,0.01≤b≤0.4,0.1≤c≤0.7,0≤d≤0.3,0≤e≤0.03,a+b+c+d+e=1.0。 | ||
地址 | 日本国大阪府 |