发明名称 | 一种利用磁场控制酞菁类有机薄膜内分子取向的方法 | ||
摘要 | 一种利用在磁场下热处理控制酞菁类有机薄膜内分子取向性的方法,其特征是把酞菁类有机薄膜沉积在清洗后的衬底上,然后放入强磁场中进行热处理。酞菁类分子平面在磁场的作用下向同一方向发生偏转,导致薄膜内分子取向度的提高,由此可以改善酞菁类有机薄膜的晶体质量,改善薄膜的光电性能。 | ||
申请公布号 | CN1439511A | 申请公布日期 | 2003.09.03 |
申请号 | CN03116009.3 | 申请日期 | 2003.03.25 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 季振国;向因 |
分类号 | B29C71/04 | 主分类号 | B29C71/04 |
代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
主权项 | 1.利用磁场控制酞菁类有机薄膜内分子取向的方法,其特征是包括以下步骤:1)清洗衬底,除去表面的油脂和污物。2)用真空蒸发沉积的方法在清洗后的衬底上沉积一层酞菁类薄膜,蒸发源温度为250-320℃。3)将经蒸发沉积的薄膜放置于磁场中间进行热处理,热处理温度为50-250℃。 | ||
地址 | 310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号 |