发明名称 一种利用磁场控制酞菁类有机薄膜内分子取向的方法
摘要 一种利用在磁场下热处理控制酞菁类有机薄膜内分子取向性的方法,其特征是把酞菁类有机薄膜沉积在清洗后的衬底上,然后放入强磁场中进行热处理。酞菁类分子平面在磁场的作用下向同一方向发生偏转,导致薄膜内分子取向度的提高,由此可以改善酞菁类有机薄膜的晶体质量,改善薄膜的光电性能。
申请公布号 CN1439511A 申请公布日期 2003.09.03
申请号 CN03116009.3 申请日期 2003.03.25
申请人 浙江大学 发明人 季振国;向因
分类号 B29C71/04 主分类号 B29C71/04
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 韩介梅
主权项 1.利用磁场控制酞菁类有机薄膜内分子取向的方法,其特征是包括以下步骤:1)清洗衬底,除去表面的油脂和污物。2)用真空蒸发沉积的方法在清洗后的衬底上沉积一层酞菁类薄膜,蒸发源温度为250-320℃。3)将经蒸发沉积的薄膜放置于磁场中间进行热处理,热处理温度为50-250℃。
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