半导体激光器及其制造方法

摘要

一种半导体激光器，它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面102、104的至少一个面上有添加氢的第一介质膜109，在第一介质膜和谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜108。这样当半导体激光器暴露于高温状态时，即使端面镀膜层中有添加氢的膜，端面镀膜脱离和端面镀膜变质的现象也能得到抑制。

主权项

1.一种包括在衬底上形成的活性层和将所述活性层夹在中间的一对包层的半导体激光器，其特征在于：在其谐振器端面的至少一个面上设有添加氢的第一介质膜，在所述第一介质膜和所述谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜。