发明名称 凸起形成装置和方法
摘要 一种凸起形成装置和方法,具有预热装置(160),对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201),实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此,在凸起形成前,上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态,在现象上,与以往相比,能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且,本发明也能够在凸起形成后,通过控制装置(317)的加热控制,由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。
申请公布号 CN1440568A 申请公布日期 2003.09.03
申请号 CN01812387.2 申请日期 2001.06.29
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 成田正力;吉田幸一;池谷雅彦;前贵晴;金山真司;今西诚;东和司;福本健治;和田浩
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 汪惠民
主权项 1.一种凸起形成装置,具有对当在半导体基板(201)上的电极部分(15)上形成凸起(16)时、为凸起接合用温度(T2)的半导体基板、向上述电极部分形成上述凸起的凸起形成头(120);包括:在向上述电极部分上的凸起形成前、对于上述半导体基板实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制的预热装置(160)。
地址 日本大阪府