| 发明名称 |
Trench isolation structure, semiconductor device having the same, and trench isolation method |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2360631(B) |
申请公布日期 |
2003.09.03 |
| 申请号 |
GB20000024940 |
申请日期 |
2000.10.11 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS COMPANY LIMITED |
发明人 |
TAI-SU * PARK;MOON-HAN * PARK;KYUNG-WON * PARK;HAN-SIN * LEE |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/316;H01L21/762;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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