碳化矽监控晶圆之制造方法

摘要

本发明以得到可使表面平坦至能检测出微粒之碳化矽监控晶圆为目的。用CVD(ChemicalVaporDeposition)法将结晶系3C的碳化矽堆积于基板上，使这碳化矽从基板脱离。藉由机械研磨单独或与CMP(ChemoMechanicalPolishing)的并用使这碳化矽表面平坦后，对其表面照射GCIB(GasClusterIonBeam)直至其表面粗度Ra=0.5nm以下，且晶圆表面的杂质密度在1x10^11atoms／cm^2以下来制作。