半导体晶圆之分割方法

摘要

欲每一个电路的半导体晶片地分割电路形成在藉由界道所区划的多数领域的半导体晶圆W时，至少以遮光机件15被覆半导体晶圆W的电路面，藉雷射光线的照射除去被覆界道S上部的遮光构件15，而在被覆界道S上部的遮光构件15被除去的半导体晶圆W施以化学性蚀刻，俾浸蚀界道而分割成各个半导体晶片C。不需要遮光罩或曝光装置等之故，因而经济不简便，同时未切削半导体晶圆之故，因而可形成无缺口或剥离等的半导体晶片。