| 主权项 |
1.一种储存电极的制造方法,该电极之一表面具有复数个细微突出物,其中当该等细微突出物在该电极表面形成之后,以一离子植入能量为20keV至60keV,将磷以离子植入于该等细微突出物内。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该杂质在一注入浓度为5E15cm-2至5E16cm-2以离子植入方式注入。3.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中该电极系以非晶矽与多晶矽二者中之一者形成。4.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中该电极系以掺入杂质之非晶矽与掺入杂质之多晶矽二者中之一者形成。5.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中该等细微突出物系以半球形晶粒技术所形成。6.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中该电极系为一堆叠电容器之一下电极。7.如申请专利范围第1或2项所述之制造方法,其中该电极系为一浮置闸。图式简单说明:第1A图至第1C图为习知一种在储存电极表面上形成复数个半球形晶粒之剖面示意图;第2A图至第2C图为习知另一种在储存电极表面上形成复数个半球形晶粒之剖面示意图;第3A图至第3D图为依据本发明所提出之一种实施例,在储存电极表面形成复数个半球形晶粒之剖面示意图;第4图为偏电压对电容量之关系曲线示意图;以及第5图为储存电极表面积对离子植入能量之关系曲线示意图。 |
