| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于包括:含氟绝缘膜,其系形成在基板上者;钛铝合金膜,其系形成在前述含氟绝缘膜上者;及铝系金属膜,其系形成在前述钛铝合金膜上,其包含铝或铝合金。2.一种半导体装置之制造方法,其特征在于包括:将含氟绝缘膜在基板上形成之制程;将钛膜在前述含氟绝缘膜上形成之制程;及将包含铝或铝合金之铝系金属膜,在前述钛膜上形成之制程;又具有:钛铝合金膜形成之制程,其系以在包含前述铝系金属膜形成之制程之后之加热前述钛膜与前述铝系金属膜之制程,使前述钛膜与前述铝系金属膜之铝的一部份反应者。3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中前述钛铝合金膜,系藉由进行:将钛膜在前述含氟绝缘膜上形成之制程;及将包含铝或铝合金之铝系金属膜在前述钛膜上形成之制程;且在前述铝系金属膜以溅镀形成之际,令前述钛膜之钛与前述铝系金属膜之铝反应而形成者。图式简单说明:图1系一概略构造剖面图,其表示关于本发明之半导体装置实施形态之一例。图2(1)至2(5)系一制造制程剖面图,其表示关于本发明之半导体装置之制造方法实施形态之一例。图3系表示一实施形态之配线结构与先前之配线结构,其抗电子转移性以累积故障率比较之。图4系一概略构造剖面图,其表示关于先前技艺之半导体装置之制造方法。图5系一概略构造剖面图,其表示与先前技艺相关之问题。 |
