发明名称 离子布植设备及其布植方法
摘要 一种离子布植设备及其布植方法,本发明系提供单晶片式离子布植设备内的载具以及离子束产生装置。在载具方面,提供一个具有线性扫描以及旋转功能的载具。在离子束产生装置方面,提供一个离子束截面积较小、容易控制并且电流量集中的离子束产生装置。运用本发明载具的移动方式以及离子束产生器所产生截面积较小的离子束,即可获得极为均匀之离子布植晶片。
申请公布号 TW550712 申请公布日期 2003.09.01
申请号 TW089126129 申请日期 2000.12.07
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 蔡俊雄
分类号 H01L21/425 主分类号 H01L21/425
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种离子布植设备,至少包括:一载具用以固定一晶片,该载具系可以做一线性扫描并且该载具可以做一旋转;以及一离子束产生装置,用以产生一离子束并且该离子束会击中该晶片。2.如申请专利范围第1项之离子布植设备,其中上述之该离子束系为一小截面积离子束。3.如申请专利范围第1项之离子布植设备,其中上述之该线性扫描系将该载具作一特定方向的一来回运动。4.一种离子布植的方法,包括下列步骤:将一晶片固定在一载具上;提供可击中该晶片之一离子束;将该载具做一线性扫描的动作;以及将该载具做一旋转的动作。5.如申请专利范围第4项之离子布植的方法,其中上述之该离子束系为一小截面积离子束。6.如申请专利范围第4项之离子布植的方法,其中上述之该线性扫描系将该载具作一特定方向的一来回运动。图式简单说明:第1图其所绘示为习知整炉式离子布植设备的示意图;第2图其所绘示为习知单晶片式离子布植设备的示意图;以及第3图其绘示为本发明单晶片式离子布植设备示意图。
地址 美国