| 主权项 |
1.一种脊状波导半导体雷射之自我对准式制程方法,其中至少包含下列步骤:步骤一:提供一磊晶成长之多层雷射结构,其包含一半导体基板、第一半导体波导层、第一半导体局限层、一半导体活性层区、第二半导体局限层、第二半导体波导层、及一半导体欧姆接触层;步骤二:全面沈积第一介电质层于步骤一之半导体欧姆接触层之上;步骤三:藉由于步骤二之第一介电质层定义出图案,作为蚀刻遮罩,并进行蚀刻制程,以形成半导体脊状结构;步骤四:全面沈积第二介电质层于步骤三之已形成脊状结构之半导体表面上,作为半导体表面之钝化处理;步骤五:全面沈积第三介电质层于步骤四之已具脊状结构并作介电质钝化处理之晶圆表面上;步骤六:对步骤五之第三介电质层之表面进行平坦化;步骤七:施行全面回蚀制程均匀地移除介电质层厚度,直到半导体脊顶之欧姆接触层均匀暴露出来为止;步骤八:镀上第一金属层及第二金属层,该第一金属层与步骤七中暴露出之半导体脊顶之欧姆接触层作接触,作为元件于晶圆表面上之电极;而第二金属层则镀于经研磨抛光之晶圆背面,作为元件于晶圆背面上之电极。2.如申请专利范围第1项所述之脊状波导半导体雷射之自我对准式制程方法,其中该步骤二所述之第一介电质层,可为SiOx、SiNx、或SiOxNy。3.如申请专利范围第4项所述之脊状波导半导体雷射之自我对准式制程方法,其中该步骤三所述之半导体脊状结构之蚀刻,可为湿式蚀刻、乾式蚀刻、或两者之组合。4.如申请专利范围第1项所述之脊状波导半导体雷射之自我对准式制程方法,其中该步骤四所述之第二介电质层,可为SiOx、SiNx、或SiOxNy。5.如申请专利范围第1项所述之脊状波导半导体雷射之自我对准式制程方法,其中该步骤五所述之第三介电质层,其厚度较脊高为大,可为SiOx或SiCOH。6.如申请专利范围第1项所述之脊状波导半导体雷射之自我对准式制程方法,其中该步骤六所述之平坦化制程,可采用负载可调式抛磨设备所进行之抛磨制程。7.如申请专利范围第1项所述之脊状波导半导体雷射之自我对准式制程方法,其中该步骤七所述之对已平坦之介电质表面作全面回蚀制程,可为湿式蚀刻、乾式蚀刻、或两者之组合。8.如申请专利范围第1项所述之脊状波导半导体雷射之自我对准式制程方法,其中于步骤三之后步骤四之前,可以先进行移除作为蚀刻遮罩之第一介电质层的步骤。图式简单说明:图一A为传统双槽结构脊状波导半导体雷射之剖面图;图一B为利用习知自我对准技术制作之双槽结构脊状波导半导体雷射之剖面图;图二A~N为利用该脊状波导半导体雷射之自我对准式制程方法之第一实施例元件剖面图;图三A~P为利用该脊状波导半导体雷射之自我对准式制程方法之第二实施例元件剖面图;图四为于实施自我终止氧化层抛磨技术过程中,SiOx表面地貌之变化情形的示意图。 |
