| 主权项 |
1.一种蚀刻方法、系使用基板上所形成难蚀刻材薄膜及其上面所形成之光罩,而将上述薄膜利用电浆予以蚀刻、且具有使用上述光罩侧壁对于上述基板表面之角度未满90度之光罩进行蚀刻之步骤。2.如申请专利范围第1项之蚀刻方法、其中上述薄膜系为Fe、Co、Mn、Ni、Pt、Ru、RuO2.Ta、Ir、IrO2.Os、Pd、Au、Ta2O5.PZT、BST、SBT、Al2O3.HfO2.ZrO2.GaAs、ITO之任一。3.一种蚀刻方法、系使用基板上所形成难蚀刻材薄膜及其上面所形成之光罩,而将上述薄膜利用电浆予以蚀刻、且具有使用上述光罩侧壁对于上述基板表面之推拔角度()未满90度之光罩进行蚀刻,藉此使蚀刻后之上述薄膜对于上述基板表面之推拔角度()呈为上述光罩之推拔角度()以上之步骤。4.一种难蚀刻材之蚀刻方法、系使用基板上所形成难蚀刻材薄膜及其上面所形成之光罩,而将上述薄膜利用电浆予以蚀刻、且具有将上述光罩成形为其侧壁对于上述基板表面之推拔角度呈90度未满之步骤,与使用该光罩进行蚀刻之步骤。5.如申请专利范围第4项之难蚀刻材之蚀刻方法、其中上述成形光罩之步骤系具有将上述光罩予以蚀刻之步骤。6.如申请专利范围第5项之难蚀刻材之蚀刻方法、其中上述将光罩予以蚀刻之步骤,系具有藉调整该光罩之蚀刻条件以调整上述光罩之推拔角度之步骤。7.如申请专利范围第6项之难蚀刻材之蚀刻方法、其中上述蚀刻条件系指导入于蚀刻处理室之瓦斯组成,或蚀刻压力之至少一方。8.如申请专利范围第5项之难蚀刻材之蚀刻方法、其中上述蚀刻光罩之步骤系具有藉调整上述薄膜及上述光罩蚀刻时间之至少一方,以调整上述光罩之推拔角度之步骤。9.如申请专利范围第5项之难蚀刻材之蚀刻方法、其中上述蚀刻光罩之步骤系具有藉调整上述薄膜上所形成保护膜之尺寸及上述光罩蚀刻时间之至少一方,以调整上述光罩之推拔角度之步骤。10.如申请专利范围第5项之难蚀刻材之蚀刻方法、其中上述蚀刻光罩之步骤系具有在上述蚀刻光罩之途中予以进行清洗,然后再进行上述蚀刻光罩之步骤。11.如申请专利范围第10项之难蚀刻材之蚀刻方法、其中上述蚀刻光罩之步骤系具有藉调整上述光罩上所形成保护膜之尺寸及上述清洗前之上述光罩蚀刻时间之至少一方,以调整上述光罩之推拔角度之步骤。12.如申请专利范围第4项之蚀刻方法、其中上述薄膜系为Fe、Co、Mn、Ni、Pt、Ru、RuO2.Ta、Ir、IrO2.Os、Pd、Au、Ti、TiOx、SrRuO3.(La、Sr)CoO3.Cu、(Ba、Sr)TiO3.SRO:SrTiO3.BTO:BaTiO3.SrTa2O6.Sr2Ta2O7.Zno、AI2O3.ZrO2.HfO2.Ta2O5.Pb(Zr、Ti)O3.Pb(Zr、Ti)Nb2O8.(Pb、La)(Zr、Ti)O3.PbTiNbOx、SrBi2Ta2O9.SrBi2(Ta、Nb)2O9.Bi4Ti3O12.BiSiOx、Bi4-xLaxTi3O12.InTiO之任一。13.一种半导体制造方法、系使用基板上所形成至少一层之难蚀刻材薄膜及其上面所形成之光罩,而制造半导体、而具有使用上述光罩进行上述难蚀刻材之蚀刻,且在该蚀刻途中进行清洗,然后再使用上述光罩进行上述难蚀刻材之蚀刻之步骤。14.一种半导体装置、系具有基板,与该基板上所形成至少一层难蚀刻材、而该难蚀刻材侧壁之推拔角度系于在该侧壁途中变化。15.一种半导体装置、系具有基板,与该基板上所形成至少一层难蚀刻材、而该难蚀刻材之某层侧壁之推拔角度系与别层侧壁之推拔角度相异。16.一种蚀刻方法、系使蚀刻装置壁面予以附着反应生成物,而具有至少在完成一张晶圆处理之前,使上述反应生成物继续附着于上述蚀刻装置壁面,且藉此将基板上所形成被蚀刻材之侧壁对于上述基板表面之角度设成实质上为90度之步骤。17.如申请专利范围第16项之蚀刻方法、其中更具有定期性除去附着于上述蚀刻装置壁面之上述反应生成物之步骤。18.如申请专利范围第16项之蚀刻方法、其中更具有使用上述光罩侧壁对于上述基板表面之角度为90度未满之光罩予以进行蚀刻之步骤。19.一种蚀刻方法、系使用具晶圆搬运装置(903),与连接于该晶圆搬运装置之多数处理室(901.901')及多数后处理室(902.902'),与多数锁定室(904.905),与邻接于该锁定室之大气搬运装置(906),且该大气搬运装置为可连接于上述多数锁定室及邻接于该大气搬运装置之晶圆卡盒(908)之半导体制造装置,以进行蚀刻,而该方法乃具有将被处理材在上述多数处理室之任一予以蚀刻后,在上述多数后处理室之任一进行后处理,然后,在上述多数处理室之任一予以蚀刻,复在上述多数后处理室之任一进行后处理之步骤。20.一种蚀刻方法、系使用具晶圆搬运装置(903),与连接于该晶圆搬运装置之多数处理室(901.901'),与多数锁定室(904.905),与邻接于该锁定室之大气搬运装置(906),且该大气搬运装置为可连接于上述多数锁定室与邻接于该大气搬运装置之后处理室(902)以及晶圆卡盒(908)之半导体制造装置,以进行蚀刻,而该方法乃具有将被处理材在上述多数处理室之任一予以蚀刻后,在上述后处理室进行后处理,然后,在上述多数处理室之任一加以蚀刻,复在上述后处理室之任一予以进行后处理之步骤。21.一种蚀刻方法、系使用基板上由Pt、Ru、Ir、PZT、SBT、Co、Mn、Fe之任一所形成之薄膜及其上面所形成之光罩,利用电浆将上述薄膜予以蚀刻、而具有使用上述光罩侧壁对于上述基板表面之推拔角度为80度未满之遮光光罩予以进行蚀刻之步骤。22.如申请专利范围第13项之半导体制造方法,其中上述步骤系以该难蚀刻材侧壁之推拔角度能够变化于该侧壁的途中之力式来进行蚀刻。23.如申请专利范围第13项之半导体制造方法,其中上述步骤系以形成于上述洗净前的该难蚀刻材的1层之侧壁的推拔角度与形成于上述洗净后的该难蚀刻材的其他层之侧壁的推拔角度相异之方式来进行蚀刻。图式简单说明:图1A~1F为使用侧壁垂直之光罩进行蚀刻处理说明用剖面图;图2A~2G为使用侧壁垂直之光罩进行蚀刻处理说明用剖面图;图3为适用本发明之电浆蚀刻装置全体构成例示图;图4A~4D为将光罩推拔角度设于90度未满时之蚀刻处理说明用剖面图;图5A~5D为将光罩推拔角度自90度徐徐减少时之光罩侧壁附着物堆积状态与被蚀刻材推拔角度之关系说明用剖面图;图6为光罩推拔角度与被蚀刻材推拔角度之关系显示图;图7A、7B为光罩推拔角度在临界値未满领域与在临界値以上领域之光罩推拔角度与被蚀刻材推拔角度之关系显示图;图8A~8E为藉蚀刻瓦斯之成分或蚀刻压力予以控制光罩推拔角度之方法说明用图;图9A~9E为藉湿式蚀刻予以控制光罩推拔角度之方法说明用图;图10A~10I为藉湿式蚀刻予以控制光罩推拔角度之方法说明用图;图11A~11I为藉湿式蚀刻予以控制光罩推拔角度之其他方法说明用图;图12A~12D为藉乾式蚀刻与湿式蚀刻予以控制光罩推拔角度之方法说明用图;图13A~13D为藉乾式蚀刻与湿式蚀刻予以控制光罩推拔角度之其他方法说明用图;图14A~14F为利用推拔角度略90度之光罩而可获得实质上推拔状光罩效果之方法说明用图;图15A为适用本案发明之半导体装置之制造装置构成例方块示意图;图15B为适用本案发明之半导体装置之制造装置其他构成例方块示意图;图16A~16D为在铁电体,使用推拔角度略90度之光罩而可获得实质上推拔状光罩效果之方法说明用图;图17A~17D为在MRAM,使用推拔角度略90度之光罩而可获得实质上推拔状光罩效果之方法说明用图;图18为使用侧壁垂直之光罩进行蚀刻处理之说明用剖面图。 |
