| 主权项 |
1.一种铜薄膜气相沉积方法,包括以下步骤:将高纯度铜曝露于一包含氯气之气体电浆中,以蚀去该高纯度铜,藉此产生活性之CuxCly气体,其中x为1至3且y为1至3;以及藉由传送该CuxCly气体至予以处理之一基板表面上,以形成一铜薄膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该高纯度铜具有平板的形状。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该高纯度铜被加热至200至400℃,而且该基板被加热至100至200℃。4.一种铜薄膜气相沉积方法,包括以下步骤:将高纯度铜曝露于一包含氯化氢之气体电浆中,以蚀去该高纯度铜,藉此产生活性之CuxCly气体,其中x为1至3且y为1至3;以及藉由传送该CuxCly气体至予以处理之一基板表面上,以形成一铜薄膜。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该高纯度铜具有平板的形状。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该高纯度铜被加热至200至400℃,而且该基板被加热至100至200℃。7.一种铜薄膜气相沉积方法,包括以下步骤:将高纯度铜曝露于含氯气与氢之电浆中,以蚀去该高纯度铜,藉此产生包含活性之CuxCly之混合气体,其中x为1至3且y为1至3;以及藉由传送该混合气体至予以处理之一基板表面上,以形成一铜薄膜。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该高纯度铜具有平板的形状。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该高纯度铜被加热至200至400℃,而且该基板被加热至100至200℃。10.一种铜薄膜气相沉积设备,包括:一反应腔,其中放置予以处理之一基板;高纯度铜材设在该反应腔中,面对该基板;一气体供应管,其插入该反应腔,以供应包含从氯气与氯化氢构成群组中所选择之一气体的气体至该高纯度铜的附近;电浆产生机构,用以在该反应腔内之该高纯度铜附近,产生从氯气与氯化氢所构成群组所选择之一材料之电浆;以及排气机构,以排除该反应腔内之气体。11.如申请专利范围第10项之设备,其中该高纯度铜具有平板的形状。12.如申请专利范围第10项之设备,更包括第一温度控制机构,用以控制该高纯度铜之温度。13.如申请专利范围第10项之设备,更包括第二温度控制机构,用以控制该基板之温度。14.一种铜薄膜气相沉积设备,包括:一反应腔,其中放置予以处理之一基板;高纯度铜材设在该反应腔中,面对该基板;一第一气体供应管,其插入该反应腔,以供应一包含氯之气体至该高纯度铜的附近;一第二气体供应管,其插入该反应腔,以供应氢气至该高纯度铜的附近;电浆产生机构,以在该反应腔内之该高纯度铜附近,产生氯与氢之电浆;以及排气机构,以排除该反应腔内之气体。15.如申请专利范围第14项之设备,其中该高纯度铜具有平板的形状。16.如申请专利范围第14项之设备,更包括第一温度控制机构,用以控制该高纯度铜之温度。17.如申请专利范围第14项之设备,更包括第二温度控制机构,用以控制该基板之温度。图式简单说明:图1系为根据本发明之铜薄膜气相沉积设备之一具体实施例的示意图;以及图2系为根据本发明之铜薄膜气相沉积设备之另一具体实施例的示意图。 |
