| 主权项 |
1.一种氮化矽唯读记忆元件的操作方法,适于操作一氮化矽唯读记忆元件,该氮化矽唯读记忆元件包括一源极,一汲极,以及一基底,其中该基底在该源极与该汲极周围具有一增加的掺杂浓度,其步骤包括:增加基底效应,以降低所需之一通道热电子注入(CHEI)程式化电流,其中系藉由改变作用于该闸极、该源极、该汲极与该基底之偏压来增加基底效应;以及于抹除前施行一预程式化,来程式化该氮化矽记忆元件中的所有记忆胞成为写入的状态。2.如申请专利范围第1项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中增加基底效应之步骤包括利用一较正的源极偏压。3.如申请专利范围第1项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中增加基底效应之步骤包括利用一较负的基底偏压。4.如申请专利范围第1项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中施行该预程式化之方法包括通道热电子注入(CHEI)。5.如申请专利范围第1项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中施行该预程式化之方法包括F-N穿隧效应。6.如申请专利范围第1项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中施行该预程式化之方法包括以电子注入方式的机制。7.如申请专利范围第1项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中形成该增加的掺杂浓度之方法包括利用记忆胞离子植入制程与口袋型离子植入制程其中之一。8.一种氮化矽唯读记忆元件的操作方法,适于操作一氮化矽唯读记忆元件,该氮化矽唯读记忆元件包括一源极,其步骤包括:藉由增加该源极之偏压来增加基底效应,以降低所需之一通道热电子注入(CHEI)程式化电流;以及于抹除前施行一预程式化,来程式化该氮化矽记忆元件中的所有记忆胞成为写入的状态。9.如申请专利范围第8项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中施行该预程式化之方法包括通道热电子注入(CHEI)。10.如申请专利范围第8项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中施行该预程式化之方法包括F-N穿隧效应。11.如申请专利范围第8项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中施行该预程式化之方法包括以电子注入方式的机制。12.一种氮化矽唯读记忆元件的操作方法,适于操作一氮化矽唯读记忆元件,该氮化矽唯读记忆元件包括一基底,其步骤包括:藉由增加该基底之负偏压来增加基底效应,以降低所需之一通道热电子注入(CHEI)程式化电流;以及于抹除前施行一预程式化,来程式化该氮化矽记忆元件中的所有记忆胞成为写入的状态。13.如申请专利范围第12项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中施行该预程式化之方法包括通道热电子注入(CHEI)。14.如申请专利范围第12项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中施行该预程式化之方法包括F-N穿隧效应。15.如申请专利范围第12项所述之氮化矽唯读记忆元件的操作方法,其中施行该预程式化之方法包括以电子注入方式的机制。图式简单说明:第1图是依照本发明之一较佳实施例之氮化矽唯读记忆元件的操作流程步骤图。 |
