| 主权项 |
1.一种用于输入∕输出静电放电保护之基板充电电路,该静电放电保护含有在基板上之输入∕输出垫连接的金氧半导体指状结构,该充电电路包括:一电阻,连接在该金氧半导体指状结构的基区与接地端之间;一充电器,连接该金氧半导体指状结构的基区;以及一开关,俾控制该充电器在ESD事件期间导通一充电电流经过该电阻。2.如申请专利范围第1项之基板充电电路,其中该电阻系基板电阻。3.如申请专利范围第1项之基板充电电路,其中该充电器系PMOS电晶体。4.如申请专利范围第3项之基板充电电路,其中该PMOS电晶体系指状结构。5.如申请专利范围第3项之基板充电电路,其中该PMOS电晶体具有源极连接该输入∕输出垫,汲极连接该金氧半导体指状结构的基区,及闸极连接该开关。6.如申请专利范围第1项之基板充电电路,其中该开关系电阻–电容电路。7.如申请专利范围第1项之基板充电电路,其中该开关系二极体串接。8.一种用于输入∕输出静电放电保护之方法,该静电放电保护含有在基板上之输入∕输出垫连接的金氧半导体指状结构,该方法包括下列步骤:连接电阻在该金氧半导体指状结构的基区与接地端之间;以及在ESD事件期间导通一充电电流经过该电阻。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该电阻系利用基板电阻。10.如申请专利范围第8项之方法,更包括开启金氧半导体装置以供应该充电电流。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该金氧半导体装置系PMOS电晶体。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该PMOS电晶体系指状结构。13.如申请专利范围第11项之方法,更包括连接该PMOS电晶体之源极至该输入∕输出垫,及汲极至该金氧半导体指状结构的基区。14.如申请专利范围第8项之方法,更包括连接开关以控制该充电电流。15.如申请专利范围第8项之方法,其中该充电电流系在该金氧半导体指状结构被触发前导通。图式简单说明:第一图系根据本发明的一个较佳实施例;第二图系在I/O垫的四种元件接法;第三图系ESD保护元件的电流–电压(I-V)曲线图;第四图系第二图的元件各自的电流–电压曲线;以及第五图系第一图中的开关的示例电路。 |
