| 主权项 |
1.一种埋入式下电极之制造方法,其包括:在一半导体基底内形成一沟槽;在该半导体基底表面及沟槽内壁上形成一掺有杂质之矽玻璃层,该沟槽分为上部和底部;形成一阻挡层以填入该沟槽内;除去既定深度之该阻挡层和掺有杂质之矽玻璃层,以露出半导体基底之表面和沟槽上部之侧壁;在该沟槽上部之侧壁上形成一遮蔽层;以及使该掺有杂质之矽玻璃层内之杂质往该沟槽底部之半导体基底内部扩散驱入,形成一掺杂区,作为埋入式下电极。2.如申请专利范围第1项所述之埋入式下电极之制造方法,其中该掺有杂质之矽玻璃层为砷矽玻璃(ASG)、磷矽玻璃(PSG)、或硼矽玻璃(BSG)。3.如申请专利范围第2项所述之埋入式下电极之制造方法,其中该掺有杂质之矽玻璃层为砷矽玻璃(ASG)。4.如申请专利范围第1项所述之埋入式下电极之制造方法,其中该阻挡层为氧化矽层。5.如申请专利范围第4项所述之埋入式下电极之制造方法,该中该阻挡层为TEOS所形成之氧化矽层。6.如申请专利范围第5项所述之埋入式下电极之制造方法,其中当该TEOS阻挡层填入该沟槽内,未能完全填入而形成一细缝时,更包括以下步骤:形成一高密度电浆(HDP)氧化层以填入该细缝内;以及除去半导体基底表面上和沟槽侧壁上的HDP氧化层,以露出半导体基底之表面和沟槽上部之侧壁。7.如申请专利范围第1项所述之埋入式下电极之制造方法,其中该遮蔽层为氮化矽。8.如申请专利范围第1项所述之埋入式下电极之制造方法,其中该杂质之驱入系以退火处理进行,其中该退火处理系于温度900℃-1200℃下进行。9.如申请专利范围第1项所述之埋入式下电极之制造方法,在驱入步骤之后,更包括蚀刻该沟槽底部之半导体基底,以形成一瓶型沟槽的步骤。10.如申请专利范围第9项所述之埋入式下电极之制造方法,其中瓶型沟槽系使用氨水溶液蚀刻而形成。11.如申请专利范围第9项所述之埋入式下电极之制造方法,在形成瓶型沟槽步骤之后,更包括在该沟槽底部侧壁上形成半球型矽晶粒(HSG;hemispherical silicon grains)的步骤。12.如申请专利范围第1项所述之埋入式下电极之制造方法,其中该阻挡层为氧化矽层,且形成掺有杂质之矽玻璃层和形成阻挡层系于同一炉管内进行。图式简单说明:第la至1h图以及第2a至2g图显示传统上形成埋入式下电极之制程剖面示意图。第3a至3i图以及第4a至4c图显示依据本发明较佳实施例形成埋入式下电极之制程剖面示意图。 |
