| 主权项 |
1.一种电解电容器电极用铝材料,其特征为:化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质。2.如申请专利范围第1项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,而Zr,V中至少1种之含量20ppm以上,Zr及V合计含量20至70ppm,B含量1ppm以下。3.一种电解电容器电极用铝材料,其特征为:化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质。4.如申请专利范围第3项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,而Zr,V中至少1种含量20ppm以上,Zr及V合计含量20至70ppm,B含量1ppm以下。5.如申请专利范围第3或4项之电解电容器电极用铝材料,其中Ti含量5至20ppm。6.一种电解电容器电极用铝材料,其特征为:化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种1ppm以上且合计1至50ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质。7.如申请专利范围第6项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,而Zr,V中至少1种之含量20ppm以上,Zr及V合计含量20至70ppm,B含量1ppm以下。8.如申请专利范围第6或7项之电解电容器电极用铝材料,其中Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种含量3ppm以上,而Mn,Ga,Mg及Ca合计含量3至30ppm。9.一种电解电容器电极用铝材料,其特征为:化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含In,Sn,Sb中至少1种1ppm以上且合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质。10.如申请专利范围第9项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,而Zr,V中至少1种含量20ppm以上,Zr及V合计含量20至70ppm,B含量1ppm以下。11.如申请专利范围第9或10项之电解电容器电极用铝材料,其中In,Sn,Sb中至少1种含量2ppm以上,而In,Sn及Sb合计含量2至15ppm。12.一种电解电容器电极用铝材料,其特征为:其化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种1ppm以上且合计1至50ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质。13.如申请专利范围第12项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,而Zr,V中至少1种含量20ppm以上,Zr及V合计含量20至70ppm,B含量1ppm以下。14.如申请专利范围第12或13项之电解电容器电极用铝材料,其中Ti含量5至20ppm。15.如申请专利范围第12或13项之电解电容器电极用铝材料,其中Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种含量3ppm以上,Mn,Ga,Mg及Ca合计含量3至30ppm。16.如申请专利范围第12项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,而Zr,V中至少1种之含量20ppm以上,Zr及V合计含量20至70ppm,Ti含量5至20ppm,Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种含量3ppm以上,而Mn,Ga,Mg及Ca合计含量3至30ppm,B含量1ppm以下。17.一种电解电容器电极用铝材料,其特征为:化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,更含In,Sn,Sb中至少1种1ppm以上且合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质。18.如申请专利范围第17项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,而Zr,V中至少1种含量20ppm以上,Zr及V合计含量20至70ppm,B含量1ppm以下。19.如申请专利范围第17或18项之电解电容器电极用铝材料,其中Ti含量5至20ppm。20.如申请专利范围第17或18项之电解电容器电极用铝材料,其中In,Sn,Sb中至少1种含量2ppm以上,而In,Sn及Sb合计含量2至15ppm。21.如申请专利范围第17项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,而Zr,V中至少1种含量20ppm以上,Zr及V合计含量20至70ppm,Ti含量5至20ppm,In,Sn,Sb中至少1种含量2ppm以上,而In,Sn及Sb合计含量2至15ppm,B含量1ppm以下。22.一种电解电容器电极用铝材料,其特征为:化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且其合计11至100ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种1ppm以上且合计1至50ppm,更含In,Sn,Sb中至少1种1ppm以上且合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质。23.如申请专利范围第22项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,而Zr,V中至少1种含量20ppm以上,Zr及V合计含量20至70ppm,B含量1ppm以上。24.如申请专利范围第22或23项之电解电容器电极用铝材料,其中Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种含量3ppm以上,而Mn,Ga,Mg及Ca合计含量3至30ppm。25.如申请专利范围第22或23项之电解电容器电极用铝材料,其中In,Sn,Sb中至少1种含量2ppm以上,而In,Sn及Sb合计含量2至15ppm。26.如申请专利范围第22项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,Zr,V中至少1种含量20ppm以上,而Zr及V合计含量20至70ppm,Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种含量3ppm以上,Mn,Ga,Mg及Ca合计含量3至30ppm,In,Sn,Sb中至少1种含量2ppm以上,In,Sn及Sb合计含量2至15ppm,B含量1ppm以下。27.一种电解电容器电极用铝材料,其特征为:化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种1ppm以上且1至50ppm,更含In,Sn,Sb中至少1种1ppm以上且合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质。28.如申请专利范围第27项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,Zr,V中至少1种含量20ppm以上,而Zr及V合计含量20至70ppm,B含量1ppm以下。29.如申请专利范围第27或28项之电解电容器电极用铝材料,其中Ti含量5至20ppm。30.如申请专利范围第27或28项之电解电容器电极用铝材料,其中Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种含量3ppm以上,而Mn,Ga,Mg及Ca合计含量3至30ppm。31.如申请专利范围第27或28项之电解电容器电极用铝材料,其中In,Sn,Sb中至少1种含量2ppm以上,而In,Sn及Sb合计含量2至15ppm。32.如申请专利范围第27项之电解电容器电极用铝材料,其中Ti含量5至20ppm,Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种含量3ppm以上,Mn,Ga,Mg及Ca合计含量3至30ppm。33.如申请专利范围第27项之电解电容器电极用铝材料,其中Ti含量5至20ppm,In,Sn,Sb中至少1种含量2ppm以上,而In,Sn及Sb合计含量2至15ppm。34.如申请专利范围第27项之电解电容器电极用铝材料,其中Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种含量3ppm以上,而Mn,Ga,Mg及Ca合计含量3至30ppm,In,Sn,Sb中至少1种含量2ppm以上,In,Sn及Sb合计含量2至15ppm。35.如申请专利范围第27项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,Zr,V中至少1种含量20ppm以上,而Zr及V合计含量20至70ppm,Ti含量5至20ppm,Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种含量3ppm以上,而Mn,Ga,Mg及Ca合计含量3至30ppm,B含量1ppm以下。36.如申请专利范围第27项电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,而Zr,V中至少1种含量20ppm以上,Zr及V合计含量20至70ppm,Ti含量5至20ppm,In,Sn,Sb中至少1种含量2ppm以上,而In,Sn及Sb合计含量2至15ppm,B含量1ppm以下。37.如申请专利范围第27项之电解电容器电极用铝材料,其中Ti含量5至20ppm,Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种含量3ppm以上,Mn,Ga,Mg及Ca合计含量3至30ppm,In,Sn,Sb中至少1种含量2ppm以上,In,Sn及Sb合计含量2至15ppm。38.如申请专利范围第27项之电解电容器电极用铝材料,其中Si含量5至20ppm,Fe含量5至20ppm,Cu含量30至100ppm,Zn含量10至50ppm,Pb含量0.3至2ppm,Zr,V中至少1种含量20ppm以上,而Zr及V合计含量20至70ppm,Ti含量5至20ppm,Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种含量3ppm以上,Mn,Ga,Mg及Ca合计含量3至30ppm,In,Sn,Sb中至少1种含量2ppm以上,In,Sn及Sb合计含量2至15ppm,B含量1ppm以下。39.一种电解电容器电极用铝箔之制造方法,其特征为:将化学组成为A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝材料压延成箔后,于430至580℃作最终退火。40.一种电解电容器电极用铝箔之制造方法,其特征为:将化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝材料压延成箔后,于430至850℃作最终退火。41.一种电解电容器电极用铝箔之制造方法,其特征为:将化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种1ppm以上且合计1至50ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝材料压延成箔后,于430至580℃作最终退火。42.一种电解电容器电极用铝箔之制造方法,其特征为:将化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含In,Sn,Sb中至少1种1ppm以上且合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝材料压延成箔后,于430至580℃作最终退火。43.一种电解电容器电极用铝箔之制造方法,其特征为:将化学组成为A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种1ppm以上且合计1至50ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝材料压延成箔后,于430至580℃作最终退火。44.一种电解电容器电极用铝箔之制造方法,其特征为:将化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,更含In,Sn,Sb中至少1种1ppm以上且合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝材料压延成箔后,于430至580℃作最终退火。45.一种电解电容器电极用铝箔之制造方法,其特征为:化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种1ppm以上且合计1至50ppm,更含In,Sn,Sb中至少1种1ppm以上且合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝材料压延成箔后,于430至580℃作最终退火。46.一种电解电容器电极用铝箔之制造方法,其特征为:将化学组成系A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种1ppm以上且合计1至50ppm,更含In,Sn,Sb中至少1种1ppm且合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝材料压延成箔后,于430至580℃作最终退火。47.一种电解电容器,其特征为:阳极或阴极之至少其一系由化学组成乃A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝箔构成。48.一种电解电容器,其特征为:阳极或阴极之至少其一系由化学组成乃A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝箔构成。49.一种电解电容器,其特征为:阳极或阴极之至少其一系由化学组成乃A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少一种1ppm以上且合计1至50ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝箔构成。50.一种电解电容器,其特征为:阳极或阴极之至少其一系由化学组成乃A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含In,Sn,Sb中至少一种1ppm以上且合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝箔构成。51.一种电解电容器,其特征为:阳极或阴极之至少其一系由化学组成乃A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种1ppm以上且合计1至50ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝箔构成。52.一种电解电容器,其特征为:阳极或阴极之至少其一系由化学组成乃A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,更含In,Sn,Sb中至少1种1ppm以上且合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝箔构成。53.一种电解电容器,其特征为:阳极或阴极之至少其一系由化学组成乃A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种1ppm以上且合计1至50ppm,更含In,Sn,Sb中至少1种1ppm以上合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝箔构成。54.一种电解电容器,其特征为:阳极或阴极之至少其一系由化学组成乃A1纯度:99.9%以上,含Si:2至50ppm,Fe:2至50ppm,Cu:15至150ppm,Zn:1至80ppm及Pb:0.1至3ppm,并含Zr,V中至少1种11ppm以上且合计11至100ppm,更含Ti:1至30ppm,更含Mn,Ga,Mg,Ca中至少1种1ppm以上且合计1至50ppm,更含In,Sn,Sb中至少1种1ppm以上且合计1至30ppm,B含量限于2ppm以下,余为铝及杂质之铝箔构成。 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