| 主权项 |
1.一种积体电路之制造方法,至少包含:图案化一绝缘层,藉以同时形成复数个开口适于形成复数个内连线结构与至少一导波管结构;沉积一导电材料在该些开口中,藉以同时形成该些内连线结构与该至少一导波管结构;以及移除该导电材料高于该绝缘层顶层的部分。2.如申请专利范围第1项所述之积体电路之制造方法,其中上述之至少一导波管结构系在复数个制程阶段中形成,在每一该些制程阶段中重复进行图案化该绝缘层之步骤、沉积该导电材料之步骤与移除该部分之导电材料之步骤。3.如申请专利范围第2项所述之积体电路之制造方法,其中该些制程阶段之一第一制程阶段至少包括形成一线性凹槽,而该些制程阶段之其他制程阶段至少包括形成一喇叭状凹槽,且该线性凹槽系以一分支角度连接于该喇叭状凹槽中,其中该喇叭状凹槽与该线性凹槽系至少包括该至少一导波管结构。4.如申请专利范围第1项所述之积体电路之制造方法,其中上述之至少一导波管结构系可用于传送该积体电路之复数个不同区域间的一电磁信号。5.如申请专利范围第1项所述之积体电路之制造方法,其中上述之导电材料系为铜金属,且沉积该导电材料之步骤为一双金属镶嵌制程。6.如申请专利范围第1项所述之积体电路之制造方法,其中上述之导电材料系为一高导电金属,且该高导电金属系选自于由铝、金、铜与银金属所组成之一族群。7.如申请专利范围第1项所述之积体电路之制造方法,其中上述之内连线结构系为复数个导电结构,且该些导电结构系与该积体电路之复数个元件具有电性连接。8.如申请专利范围第1项所述之积体电路之制造方法,其中上述之至少一导波管结构系由一收发元件所构成。9.一种积体电路之制造方法,至少包括:图案化一绝缘层,藉以同时形成复数个开口适于形成复数个内连线结构与复数个导波管结构;沉积一导电材料于该些开口中,藉以形成该些内连线结构与该些导波管结构;以及移除该导电材料高于该绝缘层顶层的部分。10.如申请专利范围第9项所述之积体电路之制造方法,其中上述之导波管结构系在复数个制程阶段中形成,在每一该些制程阶段中重复进行图案化该绝缘层之步骤、沉积该导电材料之步骤与移除该部分之导电材料之步骤。11.如申请专利范围第10项所述之积体电路之制造方法,其中该些制程阶段之一第一制程阶段至少包括形成一线性凹槽,而该些制程阶段之一第二制程阶段至少包括形成一喇叭状凹槽,且该线性凹槽系以一分支角度连接于该喇叭状凹槽中,其中该喇叭状凹槽与该线性凹槽系至少包括该些导波管结构。12.如申请专利范围第9项所述之积体电路之制造方法,其中上述之导波管结构系可用于传送该积体电路之复数个不同区域间的一电磁信号。13.如申请专利范围第9项所述之积体电路之制造方法,其中上述之导电材料系为铜金属,且沉积该导电材料之步骤为一双金属镶嵌制程。14.如申请专利范围第9项所述之积体电路之制造方法,其中上述之导电材料为一高导电金属,且该高导电金属系选自于由铝、金、铜与银金属所组成之一族群。15.如申请专利范围第9项所述之积体电路之制造方法,其中上述之内连线结构系为复数个导电结构,且该些导电结构系与该积体电路之复数个元件具有电性连接。16.如申请专利范围第9项所述之积体电路之制造方法,其中上述之导波管结构系由一收发元件所构成。17.一种收发元件,至少包括:一电子次元件;以及至少一导波管位于该电子次元件上,且该至少一导波管具有一喇叭状凹槽以及与该喇叭状凹槽呈轴向分支之一凹槽,其中该至少一导波管可传送及接收复数个电磁信号到该电子次元件。18.如申请专利范围第17项所述之收发元件,其中上述之喇叭状凹槽与该凹槽呈轴向分支之一角度为90度,且该凹槽在一剖面图中为一方形。19.如申请专利范围第17项所述之收发元件,其中上述之至少一导波管至少包含一构面,且该构面系位于该喇叭状凹槽与该凹槽间之一接合处上,其中该构面使一电磁能量由该至少一导波管转向。20.如申请专利范围第17项所述之收发元件,其中上述之电子次元件至少包括一电磁接收元件。21.如申请专利范围第17项所述之收发元件,其中上述之电子次元件至少包括一电磁传送元件。22.如申请专利范围第21项所述之收发元件,其中上述之电磁传送元件为一雷射。23.如申请专利范围第21项所述之收发元件,其中上述之电磁传送元件至少包括一发光二极体。24.如申请专利范围第20项所述之收发元件,其中上述之电磁接收元线至少包括一光检测器。25.一种微电子模组,至少包括:复数个电子次元件;以及复数个导波管位于该些电子次元件上,且每一该些导波管具有一喇叭状凹槽以及与该喇叭状凹槽呈轴向分支之一线性凹槽,其中该些导波管系用以传送在该些电子次元件间之复数个电磁信号。26.如申请专利范围第25项所述之微电子模组,其中上述之喇叭状凹槽与该线性凹槽呈轴向分支之角度为90度,且该线性凹槽之一剖面为一方形。27.如申请专利范围第25项所述之微电子模组,其中上述之导波管至少包含一构面,且该构面系位于该喇叭状凹槽与该线性凹槽间之一接合处上,其中该构面使一电磁能量由该些导波管转向。28.如申请专利范围第25项所述之微电子模组,其中上述之电子次元件至少包含一电磁接收元件。29.如申请专利范围第25项所述之微电子模组,其中上述之电子次元件至少包含一电磁传送元件。30.如申请专利范围第29项所述之微电子模组,其中上述之电子传送元件至少包含一雷射。31.如申请专利范围第29项所述之微电子模组,其中上述之电子传送元件至少包含一光发射元件。32.如申请专利范围第28项所述之微电子模组,其中上述之电磁接收元件至少包括一光检测器。33.如申请专利范围第28项所述之微电子模组,其中至少一该些导波管可以指向辐射状安置,以及一本体导波管可进行晶片内之自行对准而不需另外的元件。34.如申请专利范围第28项所述之微电子模组,其中至少一该些导波管可以指向一本体导波管辐射状安置,该本体导波管可进行晶片内之自行对准而不需另外的元件。35.如申请专利范围第34项所述之微电子模组,其中上述之本体导波管可至少包含一光纤。36.如申请专利范围第34项所述之微电子模组,其中上述之本体导波管至少包含一双极天线结构。37.如申请专利范围第34项所述之微电子模组,其中上述之本体导波管至少包括一喇叭状天线结构。图式简单说明:第1a图、第1b图与第1c图所绘示分别为喇叭状天线元件之上视图、侧视图以及前视剖面图;第2a图与第2b图所绘示分别为喇叭状天线结构之侧视剖面制程图以及前视剖面制程图;第3图所绘示为在晶片对晶片资料传送中使用具有积体喇叭状天线元件之多层积体电路晶片模组上视图;第4图所绘示为使用镶嵌在具有积体化喇叭状天线元件之积体电路晶片的多层覆晶模组上视图,其中积体化喇叭状天线元件系对准于模组上所增加之内晶片导波管;以及第5图所绘示为包含具有积体化喇叭状天线元件之积体电路晶片的模组上视图,其中此积体化喇叭状天线元件系对准于如光纤之晶片外导波管。 |
