| 主权项 |
1.一种用于侦测动态随机存取记忆体之位元线接点与主动区重叠是否偏移的测试元件,系设置于切割道,该测试元件包括:一长条型主动区,设置于该切割道中,具有一中心位置;一位元线接点,设置于该长条型主动区之中心位置上;一位元线,具有一中心位置与该位元线接点耦接,以及一第一端及一第二端,该位元线系大体上与该长条型主动区垂直;以及二接触插塞,分别设置于该长条型主动区之两端上方,皆与底下之长条型主动区接触。2.如申请专利范围第1项所述之用于侦测动态随机存取记忆体之位元线接点与主动区重叠是否偏移的测试元件,更包括二字元线,平行设置于该长条型主动区之两侧上方。3.如申请专利范围第1项所述之用于侦测动态随机存取记忆体之位元线接点与主动区重叠是否偏移的测试元件,其中该位元线之第一端和该二接触插塞之一者间用以测得一第一电阻値,以及该位元线之第二端和该二接触插塞之另一者间用以测得一第二电阻値,若该第一电阻値不等于该第二电阻値时,则该位元线接点与主动区重叠有偏移。4.一种侦测动态随机存取记忆体之位元线接点与主动区重叠是否偏移的方法,包括下列步骤:提供一晶圆,该晶圆至少具有一切割道和一记忆胞区;于该晶圆之该切割道中形成一测试元件,并同时于该晶圆之该记忆胞区形成复数记忆胞,其中该测试元件包括:一长条型主动区,设置于该切割道中,具有一中心位置;一位元线接点,设置于该长条型主动区之中心位置上;一位元线,具有一中心位置与该位元线接点耦接,该位元线系大体上与该长条型主动区垂直;以及二接触插塞,分别设置于该长条型主动区之两端上方,皆与底下之长条型主动区接触;藉由该位元线之第一端和该二接触插塞之一者间量测得一第一电阻値;藉由该位元线之第二端和该二接触插塞之另一者,量测得一第二电阻値;根据该第一与该第二电阻値,判断该测试元件中位元线接点与主动区重叠是否偏移;以及藉由该测试元件上之位元线接点与主动区重叠是否偏移,判别该记忆胞区之该乳记忆胞中位元线接点与主动区重叠是否偏移。5.如申请专利范围第4项所述之用于侦测动态随机存取记忆体之位元线接点与主动区重叠是否偏移的测试方法,其中该试测元件更包括二字元线,平行设置于该长条型主动区之两侧上方。6.如申请专利范围第4项所述之用于侦测动态随机存取记忆体之位元线接点与主动区重叠是否偏移的测试方法,其中若该第一电阻値不等于该第二电阻値时,则该位元线接点与主动区重叠有偏移。7.一种侦测动态随机存取记忆体之位元线接点与主动区重叠是否偏移的方法,包括下列步骤:提供一晶圆,该晶圆至少具有一切割道和一记忆胞区,于该晶圆之该切割道中形成一测试元件,并同时于该晶圆之该记忆胞区形成复数记忆胞,其中该测试元件包括:一长条型主动区,设置于该切割道中,具有一中心位置、一既定宽度以及一既定导电率;一位元线接点,设置于该长条型主动区之中心位置上;一位元线,具有一中心位置与该位元线接点耦接,该位元线系大体上与该长条型主动区垂直;以及二接触插塞,分别设置于该长条型主动区之两端上方,皆与底下之长条型主动区接触;藉由该位元线之第一端和该二接触插塞之一者间量测得一第一电阻値;藉由该位元线之第二端和该二接触插塞之另一者,量测得一第二电阻値;根据该第一与该第二电阻位,判断该测试元件中位元线接点与主动区重叠是否偏移;以及藉由该测试元件上之位元线接点与主动区重叠是否偏移,判别该记忆胞区之该等记忆胞中位元线接点与主动区重叠是否偏移。8.如申请专利范围第7项所述之用于侦测动态随机存取记忆体之位元线接点与主动区重叠是否偏移的测试方法,其中若该第一电阻値不等于该第二电阻値时,则该位元线接点与主动区重叠有偏移。9.如申请专利范围第8项所述之用于侦测动态随机存取记忆体之位元线接点与主动区重叠是否偏移的测试方法,更包括若产生偏移时,根据该第一、第二电阻値、既定导电率以及既定宽度,计算出该长条型主动区与该位元线接点之重叠偏移量(L)。10.如申请专利范围第9项所述之用于侦测动态随机存取记忆体之位元线接点与主动区重叠是否偏移的测试方法,其中该重叠偏移量系依照下列数学式而求得:L=w*(R1-R2)/(2RAA);其中R1表示该第一电阻値;R2表示该第二电阻値;RAA表示该既定导电率;以及w表示该既定宽度。图式简单说明:第1图系为传统的沟槽电容器之布局图。第2图系为本发明中用以侦测位元线接点与主动区之重叠是否偏移的测试元件之布局图。第3图,为本发明之测试元件之等效电路图。 |
