| 主权项 |
1.一种半导体元件制程设备,包括:一反应室,具有一排气孔,用以提供隔绝外部之密闭反应空间;一支撑座,内置于该反应室中,用以固定一基板以及制程的标的物;及复数个进气孔,沿着该反应室的边墙以环形分布设置;其上述沿着该反应室边壁形成一外环纹通道及一内环纹通道内,该外环纹通道藉由一连接通道装置与该内环纹通道相互连接,该外环纹通道藉由一外供气管与该反应室外部连接并且该内环纹通道藉由复数个内供气管与该反应室内部连接。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件制程设备,该设备提供两个对向之连接通道,亦提供一外环纹通道与外供气管交会的部份,该部份介于该两个对向之连接通道间。3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件制程设备,该设备额外提供一电浆电极用以接收来自外部的射频(RF power)以及在该反应室内部产生一电浆物质,其在该反应室外部上方部份亦提供一加热单元。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件制程设备,其中该进气孔以等间距方式设置,该进气口直径为1~7厘米。5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件制程设备,该进气孔的数目为8~150个。6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件制程设备,其中该内供气管可以是水平陈设或者是向上倾斜的。7.如申请专利范围第6项所述之半导体元件制程设备,其中该内进气管向上倾斜的仰角小于60度。8.如申请专利范围第1项所述之半导体元件制程设备,该反应室的上部是一蛋型结构。9.如申请专利范围第1项所述之半导体元件制程设备,其中更包含一加热单元,该加热单元设置于该反应室的外部上方。10.如申请专利范围第1项所述之半导体元件制程设备,其中更包含一冷却水管路,该冷却水管路设置于该反应室的边墙内部。图式简单说明:第1个系本发明所揭露之半导体元件制程设备示意图;第2A图系本发明所揭露半导体元件制程设备之气体喷嘴示意图;第2B图系本发明所揭露第2-A图之A部分示意图;第2C图系本发明所揭露第2-A图之B部分示意图;第2D图系本发明所揭露第2-A图之部分示意图;第2E图系本发明所揭露第2-A图所示内通道横截面部分之示意图。 |
