| 主权项 |
1.一种用以平坦化一沈积膜之方法,其包含步骤如下:形成一凹槽于一基板一表面部分;形成一沈积膜于该基板上,以填满该凹槽;藉由使沈积膜于具有相对较高转速和较低压力之化学机械研磨法的第一阶段,以消除由于该凹槽而形成于该沈积膜上的一起始位阶差异;以及藉由使沈积膜于具有相对较低转速和较高压力之化学机械研磨法的第二阶段,在消除该起始位阶差异后,移除出现在该凹槽外之该沈积膜的一部分。2.如申请专利范围第1项之用以平坦化一沈积膜之方法,其中该沈积膜厚度为该凹槽深度的1.6至2.0倍大。3.如申请专利范围第1项之用以平坦化一沈积膜之方法,其中该化学机械研磨法的第一阶段执行至在该基板上剩余的该沈积膜厚度变得大于零,且不比该凹槽深度的50%大。4.如申请专利范围第1项之用以平坦化一沈积膜之方法,其中该化学机械研磨法的第一阶段执行至在该基板上剩余的该沈积膜厚度变得大于零,且不大于200奈米。5.如申请专利范围第1项之用以平坦化一沈积膜之方法,其中当该化学机械研磨法的第一阶段完成后,该沈积膜厚度的平面变异是5%或更少。6.如申请专利范围第1项之用以平坦化一沈积膜之方法,其中当该化学机械研磨法的第一阶段完成后,在该基板上剩余的表面不平整大于零,但不大于20奈米。7.如申请专利范围第1项之用以平坦化一沈积膜之方法,其进一步包含一步骤,其在一该化学机械研磨法的第一阶段和第二阶段之间,或在该第二阶段开始前,执行研磨片的处理。8.如申请专利范围第1项之用以平坦化一沈积膜之方法,其中该凹槽宽度为1至100微米。9.如申请专利范围第1项之用以平坦化一沈积膜之方法,其中该凹槽是一互连槽,以及该沈积膜是一导电膜,以及经由该化学机械研磨法的第二阶段,用以移除出现在该凹槽外部沈积膜部分之步骤,其包括从该导电膜形成一内埋式导线的一次步骤。10.如申请专利范围第9项之用以平坦化一沈积膜之方法,其进一步包含一在该互连槽和该导电膜之间形成一阻障金属层之步骤,其中该导电膜是一铜合金膜,以及该阻障金属层是一氮化钽膜。11.如申请专利范围第1项之用以平坦化一沈积膜之方法,其中该凹槽为一隔离凹槽且该沈积膜为一绝缘膜,且该化学机械研磨法的第二阶段用以移除出现在该凹槽外部的沈积膜部分之步骤,其包括从该绝缘膜形成一隔离区域的一次步骤。12.如申请专利范围第11项之用以平坦化一沈积膜之方法,其进一步包含一步骤,其形成一反转防御层于该隔离凹槽的底部,其中该绝缘膜是一氧化矽膜。图式简单说明:图1A,1B,1C和1D是依照本发明的具体实施例1于用于平坦化一沈积膜的方法中,用以表示程序的横切视图;图2A,2B和2C是用于平坦化一实施例1之沈积膜的方法中,用以表示其他程序的横切视图;图3是一模拟结果的方块图,用以表示在一铜膜厚度和于CMP中所得到的表面不平整之间的关系;图4是一实验结果的方块图,用以表示在铜膜的研磨时间和于CMP中所得到的表面不平整之间的关系;图5是一模拟结果的方块图,用以表示在铜膜的研磨时间和于CMP中所得到的表面不平整之间的关系;图6A,6B,6C和6D是依照本发明的具体实施例2于用于平坦化一沈积膜的方法中,用以表示程序的横切视图;图7A,7B和7C是用于平坦化一实施例2之沈积膜的方法中,用以表示其他程序的横切视图;图8A,8B,8C和8D是依照本发明的具体实施例3于用于平坦化一沈积膜的方法中,用以表示程序的横切视图;图9A,9B和9C是用于平坦化一实施例3之沈积膜的方法中,用以表示其他程序的横切视图;图10A,10B,10C和10D是依照本发明的具体实施例4于用于平坦化一沈积膜的方法中,用以表示程序的横切视图;图11A,11B和11C是用于平坦化沈积膜的传统方法中,用以表示程序的横切视图;图12A,12B和12C是用于平坦化沈积膜的传统方法中,用以表示其他程序的横切视图;以及图13A是一内埋式导线的理想横切视图,而图13B是一内埋式导线的实际横切视图。 |
