| 主权项 |
1.一种选择氧化金属化结构(特别是闸结构,其包括至少一个将氧化之矽层,而且特别是多晶形式,及至少一个不氧化之钨层)之方法,在此方法中-在供应热处理步骤中藉氢与水之混合物对金属化结构发生作用,其中-在处理步骤之前,如果适当,及在之后,藉无水含氢物质,特别是纯氢或氢/惰气混合物,对金属化结构发生作用。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中-于处理步骤前使用含氢物质之第一部份处理期间,以金属化结构之温度(晶圆温度)由第一温度(T1)增至第二温度(T2)之方式设定热供应。3.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中-于一部份处理步骤期间,以金属化结构之温度(晶圆温度)由界定温度,特别是第二温度(T2),增至处理温度,特别是第三温度(T3)之方式设定热供应。4.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中-于处理步骤后使用含氢物质之第二部份处理时间,以金属化结构之温度由处理温度,特别是第三温度(T3),连续地降至较低温度,特别是第一温度(T1)之方式设定热供应。5.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中-于处理步骤期间,混合物中之水含量低于20%。6.根据申请专利范围第2项之方法,其中-第一温度(T1)高于室温且低于200℃。7.根据申请专利范围第2项之方法,其中-第二温度(T2)在700℃-900℃之范围。8.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中-至少于一部份处理步骤期间,以金属化结构上或中间附近之温度,特别是第三温度(T3),在900℃-1100℃之范围之方式设定热供应。9.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中-在已藉含氢物质发生作用之前,如果适当,及在之后,以惰气处理金属化结构。10.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中-于处理步骤期间,以反应方程式对W+3H2O WO3+3H2选择水含量及温度,其中之反应方程式WO3+3H2→W+3H2O具有非常高之反应速率。11.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中-其在具有入口与出口之反应槽中进行,及-以处理气体可自入口通过基材至出口之方式,将包括金属化结构之基材配置于反应槽中。12.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中-此方法在调节装置中进行,特别是灯加热快速热处理或快速热退火(RTP或RTA)装置。图式简单说明:图1A-C显示依照先行技艺之闸结构(包括钨层)之个别方法步骤;图2显示描述反应机构与平衡之图表;图3显示依照本发明方法之较佳步骤。 |
