| 主权项 |
1.一种光阻图案之形成方法,包括:用将含有硷性物质的基层膜表面暴露于含碳的气体电浆之表面处理步骤;在表面处理后的前述基层膜上形成化学增幅型光阻之步骤;及对前述化学增幅型光阻进行曝光与显影处理,使前述化学增幅型光阻图案化之步骤。2.如申请专利范围第1项所述的光阻图案之形成方法,其中,含碳的气体系含有氟化碳、氟化碳氢、碳氢化合物、CO、CO2.R-OH(醇类)中的至少一种以上之气体。3.如申请专利范围第1项所述的光阻图案之形成方法,其中,基层膜含有SiON、SiN、TiN、WN、TaN、BN、CN、AlN、GaN、GeN中的至少一种以上。4.如申请专利范围第1项所述的光阻图案之形成方法,其中,基层膜系反射防止膜。5.一种光阻图案之形成方法,包括:将含有硷性物质的基层膜表面暴露于臭氧气体之表面处理步骤;在表面处理过的前述基层膜上形成化学增幅型光阻之步骤;及对前述化学增幅型光阻进行曝光与显影处理,使前述化学增幅型光阻图案化之步骤。6.一种光阻图案之形成方法,包括:将含有硷性物质的基层膜表面暴露于含有氧的高温气体之表面处理步骤;在表面处理过的前述基层膜上形成化学增幅型光阻之步骤;及对前述化学增幅型光阻进行曝光与显影处理,使前述化学增幅型光阻图案化之步骤。7.如申请专利范围第6项所述的光阻图案之形成方法,其中,含有氧的高温气体指的系N2O、O2。8.一种光阻图案之形成方法,包括:在基板上形成含有硷性物质的基层膜表面之步骤;在前述基层膜上形成化学增幅型光阻之步骤;及对前述化学增幅型光阻进行曝光与显影处理,使前述化学增幅型光阻图案化之步骤,其特征在于:藉电压施加对基板施加电位,于前述基层膜分极化的状态下进行曝光。9.如申请专利范围第8项所述的光阻图案之形成方法,其中,电压施加装置系高周波电压。10.如申请专利范围第8项所述的光阻图案之形成方法,其中,电压施加装置系通过载置着基板的平台对该基板施加电位。11.一种半导体装置的制造方法,其特征系包括使用如申请专利范围第1.2.3.4.5.6.7.8.9或10项所述的光阻图案之形成方法所形成的光阻图案来蚀刻基层膜之步骤。图式简单说明:第1图(a)~(c)系本发明实施形态1的半导体装置制造步骤之概略剖面图。第2图(a)~(c)系本发明实施形态1的半导体装置制造步骤之概略剖面图。第3图系本发明实施形态1的半导体装置制造步骤之概略剖面图。第4图(a)~(c)系本发明实施形态2的半导体装置制造步骤之概略剖面图。第5图(a)~(c)系本发明实施形态2的半导体装置制造步骤之概略剖面图。第6图系本发明实施形态2的半导体装置制造步骤之概略剖面图。第7图(a)~(c)系本发明实施形态4的半导体装置制造步骤之概略剖面图。第8图(a)~(c)系本发明实施形态4的半导体装置制造步骤之概略剖面图。第9图系本发明实施形态4的半导体装置制造步骤之概略剖面图。第10图(a)~(c)系习知的半导体装置制造步骤之概略剖面图。第11图(a)~(b)系习知的半导体装置制造步骤之概略剖面图。第12图系为了说明习知的问题点的半导体装置之概略剖面图。 |
