| 主权项 |
1.一种制造半导体装置之方法,其系具有一连结边界(18),其系第一导电型的SiGe(2,12)及第二导电型的Si(1,11)或SiGe互相接触处,该方法包括步骤:使用含氢氟酸的第一溶液清洗连结边界(18)曝露在表面上之部份(16);及使用含硫酸的第二溶液清洗部份(16)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中第二导电型的Si或SiGe包括一n型Si基板(1,11)或一n型SiGe基板,第一导电型的SiGe包括一藉由使用化学汽相沉积法在基板上形成的SiGe膜(2,12),及第一导电型的SiGe膜(2,12)经成形及蚀刻,然后,使用第一及第二溶液清洗连结边界(18)的曝露部份(16)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中第一溶液由浓度48%的氢氟酸用水稀释至1/50调配而成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中第二溶液由浓度96%的硫酸按1:2的比例混合48%的过氧化氢水溶液调配而成。5.一种制造半导体装置之方法,其系具有一连结边界其中第一导电型的SiGe(2,12)及第二导电型的Si(1,11)或SiGe互相接触,该方法包括步骤:使用第一溶液蚀刻连结边界(18)曝露在表面上之部份(16);使用含氢氟酸的第二溶液清洗部份(16);使用含硫酸的第三溶液清洗部份(16);及使用一绝缘材料(8)覆盖连结边界(18)曝露在表面上之部份(16)。6.如申请专利范围第5项之方法,其中第二导电型的Si或SiGe包括一n型Si基板(1,11)或一n型SiGe基板,第一导电型的SiGe包括一藉由使用化学汽相沉积法在基板上形成的SiGe膜(2,12),及第一导电型的SiGe膜(2,12)经成形及蚀刻以曝露连结边界(18)在表面上,致使连结边界(18)的曝露表面使用第一溶液蚀刻。7.如申请专利范围第5项之方法,其中第一溶液由48%氢氟酸水溶液,70%硝酸水溶液,及纯水按1:1:10比例混合而成。8.如申请专利范围第5项之方法,其中第二溶液由浓度48%的氢氟酸用水稀释至1/50调配而成。9.如申请专利范围第5项之方法,其中第三溶液由浓度96%的硫酸按1:2的比例混合48%的过氧化氢水溶液调配而成。10.如申请专利范围第5项之方法,其中绝缘材料(8)包括胶化矽。图式简单说明:图1为一断面图显示一半导体装置;图2A至2F为一流程图显示根据本发明第一例子的一种制造半导体装置的方法;及图3A至3G为一流程图显示根据本发明第二例子的一种制造半导体装置的方法。 |
