| 主权项 |
1.一种掺杂导电有机合成物之方法,其中系将可由活化辐射之曝光加以活化的一掺杂物导入一导电有机合成物中,并利用该活化辐射使该导电有机合成物曝光,以使该可活化掺杂物不可逆地固定于该导电有机合成物中。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在曝光之后,未键结的掺杂物再度自该导电有机合成物移除。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该掺杂物的不可逆固定状态,系由与该导电有机合成物形成一共价键结及/或形成一配位键结所产生。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该导电有机合成物为一有机半导体。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该导电有机合成物的曝光为分区段进行。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该分区段之曝光系利用一光罩进行。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该导电有机合成物中包含光线无法渗透的区域,此类区域系让用于曝光的该活化辐射无法渗透,于曝光时,该导电有机合成物中保持有未曝光之区段,由对该导电有机合成物进行曝光的一辐射源之方向观察,这些区段系配置于该光线无法渗透区域之后方。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该光线无法渗透区域系由一闸极电极所形成。9.一种制造一有机场效电晶体之方法,其中在一基板上沉积有一闸极电极、一源极接点、一汲极接点、一闸极介电质和一有机半导体,有一可利用活化辐射之曝光加以活化的掺杂物导入该有机半导体中,并受到该活化辐射的区段曝光,使该掺杂物不可逆地固定必靠近该有机半导体的该源极接点与该汲极接点之附近区域中,从而在靠近该源极接点与该汲极接点之附近获得导电性增加之接点区域。10.如申请专利范围第9项之制造一有机场效电晶体之方法,其中在区段曝光时系应用一光罩。11.如申请专利范围第9项之制造一有机场效电晶体之方法,其中有一闸极电极和与该闸极电极有一段距离的一源极与汲极接点沈积于对活化辐射透明的一基板上,一闸极介电质沈积于该闸极电极上,其方式为使闸极介电质与源极接点之间和闸极电极与汲极接点之间保有一段曝露出该基板的距离,有一有机半导体沈积于该基板、该源极接点、该汲极接点和该闸极介电质上,闸极介电质与源极接点间之距离及/或闸极介电质与汲极接点间之距离系由该有机半导体所填满,有一可利用活化辐射由曝光活化的掺杂物导入该有机半导体中,再利用该活化辐射由该基板侧面照射,使该有机半导体中靠近该源极接点与该汲极接点附近的接点区域之导电性增加,然后再将多余掺杂物自该有机半导体移除。12.如申请专利范围第9.10或11项之方法,其中闸极电极、源极接点与汲极接点系同时沈积于该基板上。13.如申请专利范围第9.10或11项之方法,其中该闸极介电质系由对该活化辐射透明之一材料所构成。14.一种有机场效电晶体,其具有一闸极电极(2)、使该闸极电极(2)绝缘的一闸极介电质(3)、一源极接点(4)、一汲极接点(5)以及配置于源极接点与汲极接点间的一有机半导体,该有机半导体在靠近该源极接点(4)及/或该汲极接点(5)处具有一接点区域(8.9),其以一掺杂物掺杂以不可逆地固定于该有机半导体中。15.如申请专利范围第14项之有机场效电晶体,其具有一前表面与一后表面,且该后表面至少包括由该有机半导体形成的一区段(11a、11b)。16.如申请专利范围第14或15项之有机场效电晶体,其中该后表面至少包括一区段,其系由该源极接点(4)或由该汲极接点(5)所形成,且系靠近由该有机半导体所形成区段(11a、11b)之附近。17.如申请专利范围第14或15项之有机场效电晶体,其中由该有机半导体所形成之区段(11a、11b)系以该不可逆地固定之掺杂物所掺杂。18.如申请专利范围第14或15项之有机场效电晶体,其中该掺杂物系利用一共价键结或一配位键结不可逆地固定于该有机半导体中。19.如申请专利范围第14或15项之有机场效电晶体,其中自上方观察该有机场效电晶体时,在该闸极电极(2)、源极接点(4)和汲极接点(5)之间并无重叠现象,而该有机半导体被该不可逆地固定之掺杂物所掺杂且具有提升之导电性的区段(8.9),则系配置于该闸极电极(2)与该源极接点(4)之间及/或配置于该闸极电极(2)与该汲极接点(5)之间。图式简单说明:图1(a)至图1(c)显示各种有机场效电晶体习知的结构之断面图;图2显示一简化结构之电晶体的断面图;图3显示接点区域之掺杂的自我对准后表面曝光。 |
