| 主权项 |
1.一种具有短通道结构的电晶体之制造方法,该制造方法至少包含下列步骤:对基材进行第一离子布植,以使该基材具有第一启始电压;形成牺牲层于该基材上,以定义通道区域;形成源极/汲极于该基材,该源极/汲极邻接于该通道区域;形成第一介电层于该基材及该牺牲层上;移除一部份的该第一介电层,并曝露该牺牲层;移除该牺牲层,使该第一介电层具有一开口,并曝露该通道区域;形成第二介电层于该第一介电层及该通道区域上,以填满该开口;对该第二介电层进行非等向性蚀刻,以形成间隙壁于该开口侧壁,该间隙壁覆盖的一部份该通道区域定义为第一区域,并曝露一部份的该通道区域;进行第二离子布植,使曝露的一部份该通道区域具有第二启始电压且定义为第二区域,该第一区域邻接于该第二区域;移除该第一区域之该间隙壁,该第一区域的该第一启始电压低于该第二区域的该第二启始电压;形成闸极介电层于该通道区域上;以及形成导电层于该闸极介电层及该第一介电层上。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一区域位于该第二区域与该源极/汲极区域之间,以连接该第二区域与该源极/汲极区域。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一离子布植及该第二离子布植使用相同电性形态的掺质。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该第一离子布植的掺质至少包含硼。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一离子布植的浓度介于11012至31013cm-2之间。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第二离子布植的浓度介于11012至31013cm-2之间。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该牺牲层的材质至少包含氮化矽或氮氧化矽之一。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该牺牲层的厚度介于600至3000埃之间。9.一种具有短通道结构的电晶体之制造方法,该制造方法至少包含下列步骤:形成牺牲层于基材上,以定义通道区域;形成源极/汲极于该基材,该源极/汲极邻接于该通道区域;形成第一介电层于该基材及该牺牲层上;移除一部份的该第一介电层,并曝露该牺牲层;移除该牺牲层,使该第一介电层具有一开口,并曝露该通道区域;对该基材进行第一离子布植,以使该基材具有第一启始电压;形成第二介电层于该第一介电层及该通道区域上,以填满该开口;对该第二介电层进行非等向性蚀刻,以形成间隙壁于该开口侧壁,该间隙壁覆盖的一部份该通道区域定义为第一区域,并曝露一部份的该通道区域;进行第二离子布植,使曝露的一部份该通道区域具有第二启始电压且定义为第二区域,该第一区域邻接于该第二区域;移除该第一区域之该间隙壁,该第一区域的该第一启始电压低于该第二区域的该第二启始电压;形成闸极介电层于该通道区域上;以及形成导电层于该闸极介电层及该第一介电层上。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该第一区域位于该第二区域与该源极/汲极区域之间,以连接该第二区域与该源极/汲极区域。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该第一离子布植及该第二离子布植使用相同电性形态的掺质。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该第一离子布植的掺质至少包含硼。13.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该第一离子布植的浓度介于11012至31013cm-2之间。14.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该第二离子布植的浓度介于11012至31013cm-2之间。15.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该牺牲层的材质至少包含氮化矽或氮氧化矽之一。16.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该牺牲层的厚度介于600至3000埃之间。17.一种具有短通道结构之电晶体,该电晶体至少包含:一基材;一通道区域,该通道区域位于该基材上,且该通道区域具有第一区域及第二区域,该第一区域具有第一启始电压且该第二区域具有第二启始电压,该第一启始电压低于该第二启始电压;一源极/汲极区域,该源极/汲极区域邻接于该通道区域的侧边之该基材上,该第一区域位于该第二区域与该源极/汲极区域之间,以连接该通道区域之该第二区域与该源极/汲极区域;一闸极介电层,该闸极介电层覆盖于该通道区域上且邻接于该源极/汲极区域;以及一导电层,该导电层覆盖于该通道区域之该闸极介电层上。18.如申请专利范围第17项所述之具有短通道结构的电晶体,若该闸极介电层为启动(Turn On)状态,则该第一区域具有低电阻値。19.如申请专利范围第17项所述之具有短通道结构的电晶体,若该闸极介电层为关闭(Turn Off)状态,则该第一区域具有高电阻値。20.如申请专利范围第17项所述之具有短通道结构的电晶体,其中至少包含使用第一离子布植调整该第一启始电压。21.如申请专利范围第20项所述之具有短通道结构的电晶体,其中该第一离子布植的浓度介于11012至31013cm-2之间。22.如申请专利范围第21项所述之具有短通道结构的电晶体,其中至少包含使用第二离子布植调整该第二启始电压。23.如申请专利范围第22项所述之具有短通道结构的电晶体,其中该第二离子布植的浓度介于11012至31013cm-2之间。24.如申请专利范围第21项所述之具有短通道结构的电晶体,其中该第一离子布植及该第二离子布植使用相同电性形态的掺质。25.如申请专利范围第24项所述之具有短通道结构的电晶体,其中该掺质至少包含硼。26.如申请专利范围第17项所述之具有短通道结构的电晶体,其中该闸极介电层的厚度介于5至70埃之间。图式简单说明:第1图绘示传统金氧半场效电晶体之剖面示意图;以及第2A-2K图绘示依据本发明之一种具有短通道结构之金氧半场效电晶体之制程剖面示意图。 |
