| 主权项 |
1.一种形成瓶型沟槽的方法,适用于表面形成一垫层结构,且在既定位置上具有一沟槽的半导体基板,其步骤包括:a)沿着该垫层结构以及该沟槽之侧壁形成一第一介电层;b)于该沟槽之下半部形成一牺牲层;c)移除位于该垫层结构上以及位于该沟槽之侧壁上半部的第一介电层;d)移除该牺牲层,而保留位于该沟槽下半部侧壁上的第一介电层;e)沿着该垫层结构、该沟槽之侧壁上半部顺应性形成一第二介电层而将该第一介电层封口;f)沿着该第二介电层顺应性形成一保护层;g)回蚀刻该保护层而保留位于该沟槽上半部侧壁上的保护层而成为侧壁保护层;h)移除位于该沟槽底部之第二介电层而形成一开口于该沟槽底部;i)以该侧壁保护层为罩幕移除位于该沟槽下半部之第一介电层以及第二介电层而露出该沟槽下半部之侧壁;以及j)对该沟槽下半部之侧壁进行湿蚀刻而形成下半部宽度扩大之瓶型沟槽。2.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中垫层结构为一氧化矽层以及一氮化矽层。3.如申请专利范围第2项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该第一介电层以及该第二介电层为四乙基矽氧烷(TEOS)。4.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中牺牲层为光阻。5.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该保护层为氮化矽。6.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中步骤(c)之移除第一介电层系藉由湿蚀刻而进行。7.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中步骤(e)之第二介电层系以电浆强化化学气相沈积(PECVD)或高密度电浆(HDP)形成。8.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中步骤(f)保护层系藉由低压化学气相沈积(LPCVD)形成。9.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中步骤(g)之蚀刻系以乾蚀刻进行。10.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中步骤(h)形成开口系以乾蚀刻进行。11.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中步骤(i)之移除第一介电层以及第二介电层系藉由湿蚀刻而进行。12.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中步骤(j)之形成瓶型沟槽系藉由湿蚀刻而进行。13.一种形成瓶型沟槽的方法,适用于表面形成一垫层结构,且在既定位置上具有一沟槽的半导体基板,其步骤包括:a)沿着该垫层结构以及该沟槽之侧壁形成一第一介电层;b)于该沟槽之下半部形成一光阻层;c)移除位于该垫层结构上以及位于该沟槽之侧壁上半部的第一介电层;d)移除该光阻层,而保留位于该沟槽下半部侧壁上的第一介电层;e)沿着该垫层结构、该沟槽之侧壁上半部顺应性形成一第二介电层而将该第一介电层封口;f)沿着该第二介电层顺应性形成一氮化矽层;g)回蚀刻该氮化矽层而保留位于该沟槽上半部侧壁上的保护层而成为侧壁保护层;h)移除位于该沟槽底部之第二介电层而形成一开口于该沟槽底部;i)以该侧壁保护层为罩幕移除位于该沟槽下半部之第一介电层以及第二介电层而露出该沟槽下半部之侧壁;以及j)对该沟槽下半部之侧壁进行湿蚀刻而形成下半部宽度扩大之瓶型沟槽。14.如申请专利范围第13项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中垫层结构为一氧化矽层以及一氮化矽层。15.如申请专利范围第13项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该第一介电层以及该第二介电层为四乙基矽氧烷(TEOS)。图式简单说明:第1A-1G图系显示根据本发明实施例之形成瓶型沟槽的方法的制程剖面图 |
