| 主权项 |
1.一种适用于半导体测试之介面卡结构,系包含有:一基板,系具有一上表面与一下表面,其中该上表面系形成有复数个第一连接垫,该下表面系形成有复数个第二连接垫,该些第一连接垫与该些第二连接垫系为相互对应电性连接;复数个接触电极,每一接触电极系包含有一第一金属层及一第一支撑层,其中该些第一金属层系形成于对应之第一连接垫,且延伸覆盖于对应之第一支撑层之一侧表面;及复数个测试电极,系对称于对应之接触电极,每一测试电极系包含有一第二金属层及一第二支撑层,其中该些第二金属层系形成于对应之第二连接垫,且延伸覆盖于对应之第二支撑层之一侧表面。2.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体测试之介面卡结构,其中该基板系为软性印刷电路板或厚光阻。3.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体测试之介面卡结构,其中该些接触电极与对应之该些测试电极系互呈镜像对称(mirror symmetry)。4.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体测试之介面卡结构,其中该些接触电极与对应之该些测试电极系互呈旋转对称(rotational symmetry)。5.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体测试之介面卡结构,其中该些接触电极系互呈镜像对称。6.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体测试之介面卡结构,其中该些第一金属层与第二金属层系呈弯曲延伸。7.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体测试之介面卡结构,其中该些第一支撑层与第二支撑层系为厚度介于25~250m之厚光阻(thickphotoresist)。8.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体测试之介面卡结构,其中该些第一支撑层或第二支撑层系为聚亚醯胺(polyimide)或苯环丁烯(benezo cyclobutene)。9.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体测试之介面卡结构,其中该些第一支撑层之一端部系结合于该基板上表面之非电极部。10.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体测试之介面卡结构,其中该些第二支撑层之一端部系结合于该基板下表面之非电极部。11.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体测试之介面卡结构,其中该些金属层系为镍、金、银、铜或钯。图式简单说明:第1图:依本创作之第一具体实施例,一适用于半导体测试之介面卡结构之截面图;第2图:依本创作之第一具体实施例,该介面卡暂时电性连接探测卡与半导体晶圆之截面图;第3图:依本创作之第二具体实施例,一适用于半导体测试之介面卡结构之截面图;及第4图:依本创作之第三具体实施例,一适用于半导体测试之介面卡暂时电性连接探测卡与半导体晶圆之截面图。 |
