| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,系属于具有:在配线基板的主面搭载被动元件用晶片及主动元件用晶片之过程;及以能够覆盖上述被动元件用晶片及主动元件用晶片之方式来将插接帽安装于上述配线基板之过程;及在上述插接帽形成认识标志之过程之半导体装置的制造方法,其特征为:上述认识标志是视上述配线基板安装上述插接帽的过程之前,形成于上述插接帽的表面;将形成有上述认识标志的上述插接帽安装于上述配线基板。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造方法,其中更具有检查上述认识标志之过程;只将合格于上述认识标志的检查之上述插接帽安装于上述配线基板。3.一种半导体装置之制造方法,系属于具有:准备一具有复数个封装形成领域的配线基板之过程;及在上述配线基板的复数个封装形成领域的各个主面搭载被动元件用晶片及主动元件用晶片之过程;及以能够覆盖上述被动元件用晶片及主动元件用晶片之方式,在上述配线基板的复数个封装形成领域中安装复数个插接帽之过程;及分别在上述复数个插接帽形成认识标志之过程之半导体装置的制造方法,其特征为:上述认识标志是在上述配线基板安装上述复数个插接帽的过程之前,分别形成于上述插接帽的表面;将形成有上述认识标志的上述复数个插接帽安装于上述配线基板的复数个封装形成领域。4.如申请专利范围第3项所述之半导体装置之制造方法,其中搭载上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片之过程,及在上述复数个插接帽形成上述认识标志之过程,以及安装上述复数个插接帽之过程,是藉由一贯的制造装置来进行。5.如申请专利范围第3项所述之半导体装置之制造方法,其中更具有检查形成于上述复数个插接帽的认识标志之过程;只将合格于上述认识标志的检查之上述插接帽安装于上述配线基板。6.一种半导体装置之制造方法,系属于具有:准备一具有复数个封装形成领域的配线基板之过程;及在上述配线基板的复数个封装形成领域的各个主面,藉由焊剂溶融热处理来搭载被动元件用晶片及主动元件用晶片之过程;及以能够覆盖上述被动元件用晶片及主动元件用晶片之方式,在上述配线基板的复数个封装形成领域中安装复数个插接帽之过程;及沿着上述复数个封装形成领域来分割上述配线基板,藉此来形成复数个封装体之过程之半导体装置的制造方法,其特征为:准备上述配线基板之过程具有:分别检查上述复数个封装形成领域,在不良的领域中形成不良标志之过程;在形成有上述不良标巷的上述封装形成领域中不搭载上述被动元件用晶片,上述主动元件用晶片,及上述插接帽。7.一种半导体装置之制造方法,系属于具有:准备一具有复数个封装形成领域的配线基板之过程;及在上述配线基板的复数个封装形成领域的各个主面,搭载被动元件用晶片及主动元件用晶片之过程;及以能够覆盖上述被动元件用晶片及主动元件用晶片之方式,在上述配线基板的复数个封装形成领域中安装复数个插接帽之过程;及沿着上述复数个封装形成领域来分割上述配线基板,藉此来形成复数个封装体之过程之半导体装置的制造方法,其特征为具有:在上述各个过程中进行检查,藉此来认识过程不良品,且附上不良标志之过程;在附有上述不良标志的上述复数个封装形成领域中不进行往后的过程。8.一种半导体装置之制造方法,系属于在配线基板实装被动元件用晶片及主动元件用晶片并加以装配之半导体装置之制造方法,其特征为具有:在上述配线基板之被动元件用晶片用端子印刷焊剂之过程;及上述焊剂印刷后,将焊剂藉由接合涂布于上述配线基板之凹部之过程;及将上述被动动元件用晶片配置在上述配线基板之过程;及将上述主动元件用晶片配置在上述配线基板之上述凹部之过程;及进行焊剂溶融热处理并将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片藉由焊剂接合实装于上述配线基板之过程。9.如申请专利范围第8项所述之半导体装置之制造方法,其中,从接合用之喷嘴吐出上述焊剂时,将上述喷嘴以最短距离移动至上述配线基板内及邻接之其他之配线基板,并在复数之上述配线基板之上述凹部吐出上述焊剂。10.一种半导体装置之制造方法,系属于在配线基板实装被动元件用晶片及主动元件用晶片并加以装配之半导体装置之制造方法,其特征为具有:在上述配线基板之被动元件用晶片用端子印刷焊剂之过程;及在上述配线基板之凹部藉接合来涂布焊剂之过程;及上述焊剂印刷后,将焊剂藉由接合涂布于上述配线基板之凹部之过程;及将上述被动元件用晶片配置在上述配线基板之过程;及将上述主动元件用晶片配置在上述配线基板之上述凹部之过程;及进行焊剂溶融热处理并将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片藉由焊剂接合实装于上述配线基板之过程。11.一种半导体装置之制造方法,系属于在配线基板实装被动元件用晶片及主动元件用晶片并加以装配之半导体装置之制造方法,其特征为具有:将上述被动元件用晶片配置在上述配线基板之过程;及配置上述被动元件用晶片后,将上述主动元件用晶片配置在上述配线基板之上述凹部之过程;及将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片藉由焊剂接合实装于上述配线基板过程。12.一种半导体装置之制造方法,系属于在配线基板实装被动元件用晶片及主动元件用晶片并加以装配之半导体装置之制造方法,其特征为具有:设于上述被动元件用晶片对于上述配线基板进行搭载之零件搭载装置之复数零件供应部中,将收纳于各该零件供应部之上述被动元件用晶片以零件供应部单位供应于上述配线基板并加以配置之过程;及将上述被动元件用晶片配置在上述配线基板之凹部之过程;及将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片藉由焊剂接合实装于上述配线基板之过程。13.一种半导体装置之制造方法,系属于在配线基板实装被动元件用晶片及主动元件用晶片并加以装配之半导体装置之制造方法,其特征为具有:认识形成在上述配线基板之被动元件用晶片用端子之印刷焊剂图案并在上述印刷焊剂图案上配置上述被动元件用晶片之过程;及设于上述被动元件用晶片对于上述配线基板进行搭载之零件搭载装置之复数零件供应部中,将收纳于各该零件供应部之上述被动元件用晶片以零件供应部单位供应于上述配线基板并加以配置之过程;及将上述主动元件用晶片配置在上述配线基板之凹部之过程;及将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片藉由焊剂接合实装于上述配线基板之过程。14.一种半导体装置之制造方法,系属于在配线基板实装被动元件用晶片及主动元件用晶片并加以装配之半导体装置之制造方法.其特征为具有:将上述被动元件用晶片配置在上述配线基板之过程;及设于上述主动元件用晶片对于上述配线基板进行搭载之小片搭载装置之复数小片供应部中,将收纳于各该小片供应部之上述主动元件用晶片以小片供应部单位供应于上述配线基板之凹部并加以配置之过程;及将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片藉由焊剂接合实装于上述配线基板之过程。15.一种半导体装置之制造方法,系属于在配线基板实装被动元件用晶片及主动元件用晶片并加以装配之半导体装置之制造方法,其特征为具有:将上述被动元件用晶片配置在上述配线基板之过程;及认识上述配线基板之凹部缘部,在上述凹部配置上述主动元件用晶片之过程;及将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片藉由焊剂接合实装于上述配线基板之过程。16.一种半导体装置之制造方法,系属于在配线基板实装被动元件用晶片及主动元件用晶片并加以装配之半导体装置之制造方法,其特征为具有:将上述被动元件用晶片配置在复数上述配线基板藉由分割用槽部被区划形成之多数个收纳基板之上述配线基板之过程;及将上述主动元件用晶片配置在上述配线基板之凹部之过程;及将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片藉由焊剂接合实装在上述配线基板之过程;及利用接合避开上述分割用槽部将上述封闭用树脂涂布在复数上述配线基板之凹部,俾树脂封闭上述主动元件用晶片之过程。17.一种半导体装置之制造方法,系属于在配线基板实装被动元件用晶片及主动元件用晶片并加以装配之半导体装置之制造方法,其特征为具有:将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片配置在复数之上述配线基板所形成之多数个收纳基板之上述配线基板并将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片实装在上述配线基板之过程;及将支撑可卡合于上述配线基板之的支撑部对应地设置之插接帽之其中一方的上述支撑部斜向地插入在上述多数个收纳基板之孔,俾将上述插接帽安装于上述多数个收纳基板之过程;藉由上述插接帽来覆盖上述多数个收纳基板之上述配线基板上之上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片。18.如申请专利范围第17项所述之半导体装置之制造方法,其中,在上述多数个收纳基板安装复数上述插接帽时,相对应于上述插接帽之上述支撑部中,从配置于未安装有邻接之插接帽之一侧的上述支撑部插入在上述多数个收纳基板之上述孔而将上述插接帽安装于上述多数个收纳基板。19.一种半导体装置之制造方法,系属于在配线基板实装被动元件用晶片及主动元件用晶片并加以装配之半导体装置之制造方法,其特征为具有:将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片配置在复数之上述配线基板所形成之多数个收纳基板之上述配线基板并将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片实装在上述配线基板之过程;及将支撑可卡合于上述配线基板之的支撑部对应地设置之插接帽之其中一方的上述支撑部斜向地插入在上述多数个收纳基板之孔之过程;及对于插入在上述孔之上述其中一方的支撑部,藉由上述配线基板赋与载重,将上述其中一方之支撑部朝从另一方之支撑部离开之方向挠曲在其弹性领域内,并将另一方之支撑部之配置在上述多数个收纳基板之其他孔之过程;及在上述其他之孔插入上述另一方之支撑部之过程;及开放依上述配线基板之载重之赋与,将上述及上述其他卡合于上述配线基扳,并将上述插接帽安装于上述多数个收纳基板之过程。20.一种半导体装置之制造方法,系属于在配线基板实装被动元件用晶片及主动元件用晶片并加以装配之半导体装置之制造方法,其特征为具有:将上述被动元件用晶片配置经选别之上述配线基板之过程;及将经选别之上述被动元件用晶片配置于上述配线基板之凹部之过程;及将上述被动元件用晶片及上述主动元件用晶片藉由焊剂接合实装在上述配线基板之过程;装配分别经选别之上述配线基板及上述主动元件用晶片并加以实装成上述半导体装置之特性能进入容许范围。21.如申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造方法,其中上述被动元件用晶片为电阻元件用晶片,或电容元件用晶片,上述主动元件用晶片为电晶体晶片。22.如申请专利范围第21项所述之半导体装置之制造方法,其中上述电晶体晶片为构成高频放大电路。图式简单说明:第1图系表示藉由本发明之半导体装置之制造方法所装配的高频模组之构造之实施形态之一例的图式;(a)系表示斜视图;而(b)系表示剖面图。第2图系表示图示于高频模组之构造的底面图。第3图系表示图示于高频模组之制造方法之装配顺序之一例子的制造处理流程图。第4(a),(b).(c),(d),(e),( f),(g),(h),(i)图系表示图示于第8图之主要制程之配线基板及高频模组之构造之一例子的剖面图,侧面图及斜视图。第5图系表示使用于制造图示在第1图之高频模组时之基板与其不良标志配线基板之构造之一例子的图式;(a)系表示多数个收纳基板之斜视图;(b)系表示零件搭载检查时之不良标志基板的平面图;(c)系表示溶融热处理后之不良标志配线基板的平面图;(d)系表示连线接合后之不良标志配线基板的平面图。第6图系表示本发明之半导体装置之制造方法之焊剂接合过程之喷嘴移动轨迹之实施形态之一例子的图式;(a)系表示配线基板之移动轨迹的平面图;(b)系表示多数个收纳基板之移动轨迹的斜视图。第7图系表示本发明之半导体装置之制造方法之焊剂印刷过程与焊剂接合过程之基板构造之实施形态之一例的图式;(a)系表示焊剂形成前之多数个收纳基板的平面图;(b)系表示焊剂形成前之配线基板的平面图;(c)系表示焊剂印刷与焊剂接合后之配线基板的平面图。第8图系表示在本发明之半导体装置之制造方法的零件搭载过程所使用之零件搭载装置之构造之实施形态之一例子的图式;(a)系表示外观斜视图;(b)系表示构成方块图。第9图系表示本发明之半导体装置之制造方法的小片搭载过程所使用之小片搭载装置之构造之实施形态之一例的图式;(a)系表示外观斜视图;(b)系构成方块图。第10图系表示本发明之半导体装置之制造方法的零件搭载与小片搭载过程之配线基板之构造之实施形态之一例子的图式;(a)系表示零件搭载后的基板平面图;(b)系表示小片搭载后的基板平面图。第11图系表示本发明之半导体装置之制造方法的自动外观检查过程之零件位置检出时之基板构造之实施形态之一例子的图式(a)系表示多数个收纳基板之平面图;(b)系表示配线基板之平面图。第12图系表示本发明之半导体装置之制造方法的树脂涂布过程之基板构造之实施形态之一例子的图式;(a)系多数个收纳基板之平面图;(b)系表示配线基板之平面图。第13图系表示本发明之半导体装置之制造方法的插接帽插入过程所使用之插接帽之构造之实施形态之一例的图式;(a)系表示平面图;(b)被动元件用晶片系表示侧面图。第14图系表示标志赋与图示于第13图之插接帽之状态之实施形态之一例子的斜视图。第15图系表示本发明之半导体装置之制造方法之插接帽插入过程的多数个收纳基板之孔之认识方法之一例子的图式;(a)系表示认识状态的正面图;(b)系表示多数个收纳基板之孔的平面图。第16图系表示本发明之半导体装置之制造方法之插接帽插入过程之插接帽移载方法之实施形态之一例子的移载原理图。第17图系表示本发明之半导体装置之制造方法的插接帽插入过程之插接帽插入方法之实施形态之一例子的图式;(a)系表示插入原理图;(b)系表示(a)之插接帽插入状态图。第18图系表示本发明之半导体装置之制造方法的插接帽插入过程之插接帽装设方法之实施形态之一例子的图式;(a)系表示装设原理图;(b)系表示(a)之插接帽放大剖面图;(c)系表示(b)之c部之放大部分剖面图。第19图系表示本发明之半导体装置之制造方法的插接帽插入过程之插接帽插入后之状态之一例子的图式;(a)系表示正面图;(b)系表示配线基板之放大部分剖面图。第20图系表示本发明之半导体装置之制造方法的插接帽插入过程之插接帽插入后之插接帽装设装置之动作之一例子的动作原理图。第21图系表示本发明之半导体装置之制造方法的特性选别过程之特性检查结果之一例子的输出特性图。第22图系表示本发明之半导体装置之制造方法的小片特性检查结果之一例子之小片品级分类的图式。 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