| 主权项 |
1.一种在计算系统中用以控制电镀处理之方法,其中在每一电镀循环中以一材料电镀一序列工件且该控制包含为每个电镀工件指定供应至复数个电镀阳极中每个之电流,包括下列步骤:架设一Jacobian敏感度矩阵以特征化在改变每个该复数个阳极所提供之电流之每个复数个工件位置之电镀材料厚度上之效应;接收一在该复数个工件位置中每个之目标电镀材料厚度规格;施用该Jacobian敏感度矩阵以产生一是否应改变一组底线阳极电流以产生特定目标电镀材料厚度而不是导自该底线组阳极电流所示之底线电镀材料厚度之第一决定;根据该第一决定来使用一经由改变该底线组阳极电流而产生一组指定阳极电流以产生一导引一对应至一第一工件之第一电镀循环之指示;接收在该第一工件之复数个工件位置中每个测量电镀材料厚度;施用该Jacobian敏感度矩阵以产生一是否应改变指定用于该第一电镀循环之该组阳极电流以产生特定目标电镀材料厚度而不是该第一工件之测量电镀材料厚度之第二决定;及根据该第二决定来使用一经由改变指定用于该第一电镀循环之该组阳极电流所产生之一组指定阳极电流来产生一用以导引一对应至一第二工件之第二电镀循环之指示。2.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括:接收来自该第二电镀循环中该复数个工件位置之每个之测量电镀材料厚度;决定来自该第二电镀循环中之测量电镀材料厚度系于该特定目标电镀材料厚度之一特定容限内;及为了对应该决定而利用指定用于该第二电镀循环之该组阳极电流来产生一或更多指示来导以复数个进一步之电镀循环。3.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括:接收来自该第二电镀循环中该复数个工件位置之每个之测量电镀材料厚度;施用该Jacobian敏感度矩阵以产生一是否应改变指定用于该第二电镀循环之该组阳极电流以产生特定目标电镀材料厚度而不是该第二工件之测量电镀材料厚度之第三决定;及根据该第三决定来使用经由改变指定用于该第二电镀循环之该组阳极电流所产生之一组指定阳极电流来产生一用以导引一第三电镀循环之指示。4.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括:在该第一电镀循环前,在该复数个工件位置接收该第一工件之测量种子层厚度;及在该第二电镀循环前,在该复数个工件位置接收该第二工件之测量种子层厚度,且其中,经由施用该Jacobian敏感度矩阵所产生之第二决定系一按照该第一及第二工件之测量种子层厚度间之差异决定是否应改变指定用于该第一电镀循环之该组阳极电流以产生特定目标电镀材料厚度而不是该第一工件之测量电镀材料厚度。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该Jacobian敏感度矩阵系自该电镀处理之一数学模组中产生。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该Jacobian敏感度矩阵系来自经由操作该电镀处理所得到之资料中产生。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该底线电镀材料厚度系来自利用该电镀处理之一数学模组来模拟操作该电镀处理所得到之资料中产生。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该底线电镀材料厚度系来自以该底线阳极电流操作该电镀处理所得到之资料中产生。9.一种在计算系统中用以提供一处理之回路控制之方法,其中该处理系用以施加一涂布材料至一系列工件以产生该涂布材料之一涂布层,包括下列步骤:(a)接收一表示在该工件上产生之涂布层之一或更多属性之涂布外形;(b)指定一第一组涂布参数用于涂布一第一工件;(c)辨识使用该第一组涂布参数于该第一工件上产生之涂布层属性及该涂布外形所示之属性间之一第一组差异;(d)决定一用以减少该辨识出之第一组差异所期待之该第一组涂布参数之第一组修正;(e)根据所决定之第一组修正来修正该第一组涂布参数以产生一第二组涂布参数;(f)指定该第二组涂布参数使用于涂布一第二工件;及(g)重复(c)-(f)至该序列中接着之工件,直到该组辨识之差异落在一选择之容限内。10.如申请专利范围第9项之方法,进一步包括在(g)后指定将该组最后所产生之涂布参数使用于涂布接着之工件。11.如申请专利范围第9项之方法,其中每个工件系为一矽晶圆。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该涂布材料系为一导体。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该涂布材料系为铜。14.如申请专利范围第9项之方法,其中该处理方法系执行于一具有复数个阳极之电解室中,且其中至少一部份该涂布参数系为用以传送至该复数个阳极中被辨识之阳极之电流。15.如申请专利范围第9项之方法,其中由该涂布外形所表示之工件上产生之涂布层之至少一部份属性系为该工件上所选择区域中该涂布层之目标厚度。16.如申请专利范围第15项之方法,其中在(c)中所辨识之差异对应至在该涂布工件上所选择区域中测量到之厚度及由用于该涂布工件上所选择区域之涂布外形所表示之目标厚度间之差异。17.如申请专利范围第15项之方法,进一步包括:根据该第一组涂布参数在该第一工件上所选择区域中产生一组预测涂布厚度;接收一在该涂布之第一工件上之选择区域中所测量之厚度指示;计算一在该预测涂布厚度及该指示测量厚度间之差异;及在使用该第一组修正来修正该第一组涂布参数前,自该决定之第一组修正中减去该计算之差异。18.如申请专利范围第15项之方法,其中每个该工件具有一种子层,该方法进一步包括:用于每个该第一及第二工件,在该工件被涂布前,接收一在该工件上之选择区域中所测量之种子层厚度之指示;及在指定该第二组涂布参数使用于涂布一第二工件前,再调整该第二组涂布参数以调整在该第一及第二工件之测量厚度间之差异。19.如申请专利范围第9项之方法,其中该涂布处理系为电解液沉积。20.如申请专利范围第9项之方法,其中该涂布处理系为电泳沉积。21.如申请专利范围第9项之方法,其中该涂布处理系为化学气相沉积。22.如申请专利范围第9项之方法,其中该涂布处理系为物理气相沉积。23.如申请专利范围第9项之方法,其中该涂布处理系为电子束雾化。24.如申请专利范围第9项之方法,其中(d)使用一属性之敏感度矩阵映射变化至用以产生这些属性变化所期待之涂布参数变化。25.一种电脑可读取媒体,其内容会使计算系统提供一处理之回路控制来施加一涂布材料至一系列工件,用以经由下列方法来产生该涂布材料之一涂布层,系包括:(a)接收一表示在该工件上产生之涂布层之一或更多属性之涂布外形;(b)指定一第一组涂布参数用于涂布一第一工件;(c)辨识使用该第一组涂布参数于该第一工件上产生之涂布层属性及该涂布外形所示之属性间之一第一组差异;(d)决定一用以减少该辨识出之第一组差异所期待之该第一组涂布参数之第一组修正;(e)根据所决定之第一组修正来修正该第一组涂布参数以产生一第二组涂布参数;及(f)指定该第二组涂布参数使用于涂布一第二工件。26.如申请专利范围第25项之电脑可读取媒体,进一步包括重复(c)-(f)至该序列中接着之工件,直到该组辨识之差异落在一选择之容限内。27.一种在计算系统中用以自动架构参数之方法,其中该参数系控制用于一序列至少含二晶圆中之每一个上沉积材料之沉积室的操作以改进与一特定沉积图案之一致性,包括下列步骤:用于该序列晶圆中之每个,在材料被沉积在该晶圆上之前测量该晶圆厚度;用于该序列晶圆中之每个,在材料被沉积在该晶圆上之后测量该晶圆厚度;在该序列之第一晶圆后之每个该序列晶圆中,根据该特定沉积图案、在该目前晶圆上沉积材料前之目前晶圆测量厚度、在该先前晶圆上沉积材料前于该序列中之先前晶圆之测量厚度、用来在该先前晶圆上沉积材料所使用之参数及在材料被沉积在该先前晶圆后之先前晶圆测量厚度,来架构用以在该晶圆上沉积材料之参数。28.如申请专利范围第27项之方法,其中该特定沉积图案系一平面沉积图案。29.如申请专利范围第27项之方法,其中该特定沉积图案系一凹面沉积图案。30.如申请专利范围第27项之方法,其中该特定沉积图案系一凸面沉积图案。31.如申请专利范围第27项之方法,其中该特定沉积图案系一任意放射状外形。32.如申请专利范围第27项之方法,其中该特定沉积图案系一任意外形。33.如申请专利范围第27项之方法,进一步包括,用于一第二沉积室中:取得具有在该沉积室及该第二沉积室间差异特征之一组位移値;根据该组取得之位移値来修正用于该沉积室中最后架构之参数以得到一用于该第二沉积室之参数;及利用所得到用于该第二沉积室之参数来架构该第二沉积室。34.一种用以自动架构参数之装置,其中该参数系控制用于一序列晶圆中之每一个上沉积材料之沉积室的操作以改进与一特定沉积图案的一致性,系包括:一在材料被沉积在该晶圆前用以测量该序列晶圆中每一个厚度之沉积前测量子系统;一在材料被沉积在该晶圆后用以测量该序列晶圆中每一个厚度之沉积后测量子系统;一参数架构子系统,其根据该特定沉积图案、在该目前晶圆上沉积材料前之目前晶圆测量厚度、在该先前晶圆上沉积材料前于该序列中之先前晶圆之测量厚度、用来在该先前晶圆上沉积材料所使用之参数及在材料被沉积在该先前晶圆后之先前晶圆测量厚度,来架构用以在该序列之第一晶圆后之每个序列晶圆上沉积材料之参数。35.一种在计算系统中构成敏感度矩阵之方法,其中该敏感度矩阵可用来调整一电镀室中之复数个电极电流以改进电镀均匀性,包括下列步骤:用于该电镀工件上之复数个放射部份中之每一个,当一组底线电流被递送至该电极时,在该工件之那半径处上得到一电镀厚度;用于每个电极,复数个放射部份中之每个,当该底线电流因那个电极而被干扰时,在该工件之那半径处上得到一电镀厚度;及构成一矩阵,该矩阵之一第一维对应至该复数个电极,该矩阵之一第二维对应至该复数个半径,用于一特定电极及一特定半径之每一项系决定于自当该底线电流因那个电极而被干扰时的那半径处上厚度中减去当该底线电流被递送至该电流时的那半径处上厚度,接着除以来自它的底线电流干扰之那个电极电流。36.如申请专利范围第35项之方法,其中用于每个电极之电流系受到约+.05安培之干扰。37.如申请专利范围第35项之方法,其中用于每个电极之电流系受到一范围介在1%及10%间之因数干扰。38.如申请专利范围第35项之方法,其中该得到之厚度系根据该电镀室之一数学模组来执行该电镀室操作模拟而得。39.如申请专利范围第35项之方法,其中该得到之厚度系利用测量在该电镀室中所电镀之工件而得。40.如申请专利范围第35项之方法,进一步包括重复该方法以产生用于各种不同状况之额外敏感度矩阵。41.如申请专利范围第35项之方法,进一步包括使用该构成之敏感度矩阵来修正用于电镀一电镀一第一工件所使用之第二工件电流,如此该修正电流使得所电镀之第二工件比该第一工件更均匀。42.一种一或更多之电脑记忆体,其总括地包含一有关一具有用于在一具有所选择的半径上沉积材料之复数个沉积初始器之沉积室之敏感度矩阵资料结构、一有关每个该沉积初始器之控制参数,该资料结构包括复数个数量项,每个该数量项预测对于一在与一给予之沉积初始器相关之控制参数中所给予之变化而言,在一给定之半径上所沉积之材料厚度中所期待之变化,如此该资料结构之内容可用来决定为了较一致之沉积材料厚度至一沉积材料厚度之目标外形所修正之沉积初始器参数。43.如申请专利范围第42项之电脑记忆体,其中该沉积初始器系为电极,且其中与该沉积初始器相关之控制参数系为递送至该电极之电流。44.如申请专利范围第42项之电脑记忆体,其中该敏感度矩阵资料结构系为一Jacobian敏感度矩阵。45.如申请专利范围第42项之电脑记忆体,其中该电脑记忆体包含许多敏感度矩阵资料结构,每一个适合于一组不同状况。46.一种一或更多之电脑记忆体,其总括地包含一用以控制一材料沉积处理之资料结构之电脑记忆体,其包括用于该材料沉积处理之一组参数値,该参数系利用调整一组较早使用之参数以解决一使用该组较早使用之参数及一该沉积处理所表示之目标沉积外形所沉积之工件测量间之差异来产生的,如此该资料结构内容可用来沉积一与该所示之沉积外形相当一致之额外工件。47.如申请专利范围第46项之电脑记忆体,其中该沉积处理使用复数个电极,且其中该组之每个参数値系一递送至该复数个电极其中之一之电流量。48.一种一或更多之电脑记忆体,其总括地包含一沉积室位移资料结构之电脑记忆体,包括用以指示如何调整在一第一沉积室中得到可接受沉积结果所使用之第一参数组以产生可使用在一第二沉积室中得到可接受沉积结果之第二参数组之一组値。49.一种用以电化学处理一微电子工件之反应器,包括:一架构以得到一电化学处理流体之流体室;在该流体室中之复数个电极;一在该流体室中可定位来持住该微电子工件之工件支撑物;一连接至该微电子工件表面及该复数个电极之电力供应器,该复数个电极中至少二个系个别连接至该电力供应器以有助于其上电力之个别供应;及一连接至该电力供应器之控制系统,其用以控制各自与每个该个别连接之电极相关之至少一电力参数,该控制系统根据一或更多输入参数及复数个预定敏感度値来设定该至少一电力参数给该个别连接电极中之一指定者,该预定敏感度値对应至来自该个别连接电极中之一指定者之电力参数干扰所导致之处理干扰。50.如申请专利范围第49项之反应器,其中该至少一电性参数系为电流。51.如申请专利范围第49项之反应器,其中该敏感度値系逻辑性地安排于该控制系统内作为一或更多Jacobian矩阵。52.如申请专利范围第49项之反应器,其中该至少一使用者输入参数包括一在该微电子工件之至少一表面上作电化学沉积之膜厚度。53.如申请专利范围第49项之反应器,其中该个别连接电极系安排成彼此互为同心的。54.如申请专利范围第49项之反应器,其中该个别连接电极系配置在距离该微电子工件相同有效距离处。55.如申请专利范围第54项之反应器,其中该个别连接电极系安排成彼此互为同心的。56.如申请专利范围第49项之反应器,其中该个别连接电极中至少二者系配置在距离该微电子工件表面不同有效距离处。57.如申请专利范围第56项之反应器,其中该个别连接电极系安排成彼此互为同心的。58.如申请专利范围第57项之反应器,其中该个别连接电极系安排在自该复数个同心阳极中之最外者至该个别连接电极中之最内者中离该微电子工件之距离渐增处。59.如申请专利范围第49项之反应器,其中一或更多该个别连接电极系一虚拟电极。60.一种在计算系统中用以控制在具有复数个电极之电镀室中具有许多步骤之电镀处理之方法,包括:用于每个电极,利用加总在该处理之每个步骤中递送至该电极之电镀电荷来决定在一第一电镀循环期间递送至该电极以电镀一第一工件之净电镀电荷;将一在电镀该第一工件中所得之电镀外形与一目标电镀外形作比较,用以辨识在该所得电镀外形及该目标电镀外形间之差异;决定用于所选之每个电极之新净电镀电荷以减少在一第二工件中所辨识之差异;针对每个新电镀电荷,分配该新净电镀电荷到该处理步骤上;使用该分配之新净电镀电荷来决定一用于该处理每个步骤之每个电极之电流;及使用每个步骤之每个电极中所决定之电流来导引一用以电镀一第二工件之第二电镀循环。61.如申请专利范围第60项之方法,其中该新净电镀电荷系均匀分配至该处理之所有步骤中。62.如申请专利范围第60项之方法,其中该新净电镀电荷系利用分配至该处理之一单步骤中在该新净电镀电荷及该递送之净电镀电荷间之差异来分配至该处理之步骤中。63.如申请专利范围第60项之方法,其中该分配包含分配该新净电镀电荷至该处理步骤之一所选择者之二或更多阶段中之每个。64.如申请专利范围第60项之方法,进一步包括重复该方法用以再减少介于该所得电镀外形及该目标电镀外形间之差异。65.如申请专利范围第60项之方法,其中一敏感度矩阵系用来决定该新净电镀电荷。66.如申请专利范围第60项之方法,其中一敏感度矩阵系用来决定一用于该处理之每个步骤中之新净电镀电荷。67.一种在电脑系统中评量电镀反应器设计之方法,包括:施用一具体化该反应器设计之数学模组至一组初始电极电流以决定一第一产生之电镀外形;将该第一产生之电镀外形与一目标电镀外形作比较以得到一第一差异;施用一敏感度技术以辨识一组修正之电极电流;施用该数学模组至该组修正之电极电流以决定一第二产生之电镀外形;将该第二产生之电镀外形与该目标电镀外形作比较以得到一第二差异;及根据所得之第二差异来评量该设计。68.一种用以自动选择参数之装置,其中该参数系使用于控制在所选晶圆上沉积材料以最佳化与特定沉积图案一致性之沉积室操作,包括:一测量接收子系统,其接收:在该晶圆上沉积材料前,该所选晶圆之沉积前厚度;在该已沉积晶圆上沉积材料后,一已沉积晶圆之沉积后厚度;及在该晶圆上沉积材料前,该已沉积晶圆之沉积前厚度;及根据该特定沉积图案、该所选晶圆沉积前厚度、该已沉积晶圆沉积前厚度、在该已沉积晶圆上沉积材料所使用之参数及该已沉积晶圆沉积后厚度来选择该所选晶圆上沉积材料所使用参数之一选择子系统。69.如申请专利范围第68项之装置,进一步包括一使用该参数选择子系统所选择之参数来在该所选晶圆上沉积材料之沉积室。70.如申请专利范围第68项之装置,进一步包括一包含一由该参数选择子系统用来在该所选晶圆上沉积材料所选之参数所使用之敏感度矩阵之记忆体。71.一种在计算系统中用以自动架构参数之方法,其中该参数可用于控制一沉积室操作以在所选晶圆上沉积材料来最佳化与一特定沉积图案之一致性,包括下列步骤:在材料被沉积在该晶圆前接收该所选晶圆之沉积前厚度;在材料被沉积在该已沉积晶圆后接收一已沉积晶圆之沉积后厚度;及在材料被沉积在该晶圆前接收该已沉积晶圆之沉积前厚度;根据该特定沉积图案、该所选晶圆沉积前厚度、该已沉积晶圆沉积前厚度、在该已沉积晶圆上沉积材料所使用之参数及该已沉积晶圆沉积后厚度来选择在该所选晶圆上沉积材料所使用之参数。72.如申请专利范围第71项之方法,进一步包括使用该所选参数来控制一在该所选晶圆上沉积材料之沉积室。73.如申请专利范围第71项之方法,其中一敏感度矩阵系用于选择在该所选晶圆上沉积材料所使用之参数。74.一种用以电化学处理微电子工件之反应器,包括:一架构来包含一电化学处理流体之流体室;在该流体室中之复数个电极;一在可定位以持住该流体室中之微电子工件之工件支撑物;及一连接至该微电子工件表面及该复数个电极之电力供应器,该复数个电极中至少二个系个别连接至该电力供应器以有助于其上电力之个别供应,根据一提供于该个别连接电极之电力参数来架构该电力供应器以提供电力至每个个别连接电极,每个电力参数系根据一或更多输入参数及复数个预定敏感度値,该预定敏感度値对应至来自该个别连接电极中之一指定者之电力参数干扰所导致之处理干扰。75.如申请专利范围第74项之反应器,其中每个电力参数系为一电流位准。76.如申请专利范围第74项之反应器,进一步包括一用以选择对应至每个个别连接电极之电力参数之电力参数选择子系统。77.一种使用复数个电极来电镀所选表面之方法,包括下列步骤:得到一由复数个电流位准所组成之电流规格组,每个标示该复数个电极中之一特定者,该电流规格组之电流位准包括一区别电流规格组之一修正电流位准用以根据该区别电流规格组来改进电镀所产生之结果;及用于每个电极,利用该电流规格组递送该电极所标示之电流位准至该电极用以电镀所选之表面。78.如申请专利范围第77项之方法,其中该电流规格组系经由一介面来接收而得。79.如申请专利范围第78项之方法,其中该介面系一使用者介面。80.如申请专利范围第78项之方法,其中该介面系一抽取式媒体驱动。81.如申请专利范围第78项之方法,其中该介面系一网路连接。82.如申请专利范围第77项之方法,其中该电流规格组系经修正该区别电流规格组而得。83.一种用以处理微电子工件之方法,包括下列步骤:(a)使用一物理气相沉积法来施用一种子层至该工件;(b)使用一度量装置来测量所施用种子层之不均匀性;(c)校正一根据该施用种子层所测量之不均匀性及该多电极反应器特征所决定之电性参数来操作其电极之多电极反应器中该施用种子层所测量之不均匀性。84.如申请专利范围第83项之方法,进一步包括下列步骤于(c)之后:(d)交付该工件至一无电离子电镀处理用以强化该种子层。85.如申请专利范围第84项之方法,进一步包括下列步骤于(d)之后:使用一度量装置来测量该强化种子层之厚度;在根据该强化种子层厚度及该多电极反应器特征所决定之电性参数来操作其电极之一多电极反应器中之种子层顶部上沉积一本体金属层。86.一种用以处理微电子工件之方法,包括下列步骤:(a)使用一第一物理气相沉积工具来施用一种子层至一第一工件;(b)使用一第二物理气相沉积工具来施用一种子层至一第二工件;(c)使用一度量装置来测量施用至该第一工件之种子层之不均匀性;(d)使用一度量装置来测量施用至该第二工件之种子层之不均匀性;(e)校正一根据施用至该第一工件之种子层所测量之不均匀性及该第一多电极反应器特征所决定之电性参数来操作其电极之第一多电极反应器中施用至该第一工件之种子层所测量之不均匀性;(f)校正一根据施用至该第二工件之种子层所测量之不均匀性及该第二多电极反应器特征所决定之电性参数来操作其电极之第二多电极反应器中施用至该第二工件之种子层所测量之不均匀性。87.如申请专利范围第86项之方法,进一步包括下列步骤于(f)之后:使用一度量装置来测量该第一工件之校正种子层厚度;在根据该第一工件之校正种子层之测量厚度及该第三多电极反应器特征所决定之电性参数来操作其电极之一第三多电极反应器中之第一工件种子层顶部上沉积一本体金属层;使用一度量装置来测量该第二工件之校正种子层厚度;根据该第二工件之校正种子层之测量厚度及该第三多电极反应器特征所决定之电性参数来操作其电极之一第三多电极反应器中之第二种子层顶部上沉积一本体金属层。88.一种用以构成沉积处理参数资料库之方法,其系用于控制一控制多控制点以控制材料沉积之材料沉积工具,系包括:接收复数个工作单,每个工作单辨识利用该工具所执行之一沉积处理而使用之一组不同特征;用于每个接收之工作单中,根据该工作单来操作该工具,并根据一初始参数组来控制每个该控制点以沉积一测试工件;评量该沉积之测试工件;辨识介于评量该沉积之测试工件及一目标沉积外形间之差异;以一投射方式来修正该初始参数组以减少该辨识之差异;及以一与该接收工作单相关方式来储存该修正之初始参数。89.如申请专利范围第88项之方法,进一步包括下列步骤:选择该复数工作单其中之一;对应于该工作单之选择,取得与该所选工作单相关之参数组;及根据该所选工作单来操作该工具,并根据该取得之参数组来控制每个该控制点以沉积一工件。90.如申请专利范围第88项之方法,其中该沉积工具之控制点系为电极,且其中每个初始及修正参数组标示一控制每个该电极之方式。91.一种一或更多之电脑记忆体,其系用以总括地包含一用以控制一控制多控制点以控制材料沉积之复数个沉积处理参数组,每个参数组系与一处理工作单相关且包含一标示当执行该处理工作单时如何控制每个该控制点之参数。92.如申请专利范围第91项之电脑记亿体,其中该参数组系在电脑控制下所作之实验性决定。93.一种用以在工件上执行材料沉积之方法,包括下列步骤:选择该复数个工作单其中之一;对应于该工作单选择,从电脑控制下之实验性决定之复数个沉积处理参数组中取得一与该所选工作单相关之参数组;及根据该所选工作单来操作一沉积工具,并根据该取得之参数组来控制该工具之每个复数个控制点以沉积一工件。94.一种一或更多之电脑记忆体,其系用以总括地包含一电镀电流资料结构,该资料结构包括标示用于每个复数个种子层电阻率范围中递送至一群电极以电镀一具有一其电阻率落在该范围内之种子层之工件之一组电流之资讯。95.如申请专利范围第94项之电脑记忆体,其中该资料结构中之资讯所标示之该组电流系在电脑控制下所作之实验性决定。96.一种在计算系统中用以自动架构参数之方法,其中该参数系可用来控制反应室操作以电抛光所选晶圆来最佳化与一标示之电抛光图案之一致性,包括下列步骤:在抛光该所选晶圆前,接收该所选晶圆抛光前之厚度;在抛光该已抛光晶圆后,接收一已抛光晶圆抛光后之厚度;及在抛光该已抛光晶圆前,接收该已抛光晶圆抛光前之厚度;根据该特定抛光图案、该所选晶圆抛光前厚度、该已抛光晶圆抛光前厚度、用来抛光该已抛光晶圆之参数及该已抛光晶圆抛光后之厚度来选择用来抛光该所选晶圆之参数。97.一种用以电化学处理微电子工件之处理容器,包括:一主要流体流室;配置在该主要流体流室中之不同高度用以在距一处理时之微电子工件之不同距离下放置该同心阳极之复数个同心阳极;及一架构来递送一电流至每个该同心阳极之控制器,其系(a)根据一递送至该同心阳极以处理一较早处理之微电子工件之电流,及(b)选择比在处理该较早处理之微电子工件下产生一更均匀处理该工件者。98.如申请专利范围第97项之处理容器,其中该复数个同心阳极系安排在自该复数个同心阳极最外者至该复数个同心阳极最内者中离该微电子工件之距离渐增处。99.如申请专利范围第98项之处理容器,其中该主要流体流室系定义在其一上部接近一斜壁,该斜壁支撑一或更多该复数个同心阳极。100.如申请专利范围第97项之处理容器,其中一或更多该复数同心阳极系为一虚拟阳极。101.如申请专利范围第100项之处理容器,其中该虚拟阳极包括:一具有一处理流体入口及一处理流体出口之阳极室框架,该处理流体出口系配置紧邻至处理下之微电子工件;及配置于该阳极室框架之至少一传导性阳极元件。102.如申请专利范围第100项之处理容器,其中该至少一传导性阳极元件系来自一入口材料所形成。103.如申请专利范围第97项之处理容器,进一步包括用来提供该电化学处理流体流至该主要流体流室所配置之复数喷嘴,该复数喷嘴被安排及指示来提供结合产生一放射状跨过该工件之至少一表面之真正均匀垂直流元件之垂直及放射流体流元件。104.如申请专利范围第97项之处理容器,其中该主要流体流室系定义在其一上部接近一斜壁,该斜壁支撑一或更多该复数个同心阳极。105.如申请专利范围第97项之处理容器,其中该主要流体流室进一步包括一于其下部配置之入口,其系架构来提供帮助该主要流体流室之一下部份之处理流体流之再循环之Venturi效应。106.如申请专利范围第97项之处理容器,进一步包括一用以由该控制器选择递送至该同心阳极之电流之电流最佳化子系统。107.如申请专利范围第106项之处理容器,进一步包括一包含一由该电流最佳化子系统用于由该控制器选择递送至该同心阳极之电流所使用之主要流体流室特征所反射之Jacobian敏感度矩阵之记忆体。108.如申请专利范围第97项之处理容器,进一步包括一用以在该主要流体流室内之处理流体之泵。109.如申请专利范围第97项之处理容器,其中该流体流室系适合包含一用以电镀该微电子工件之电解液。110.如申请专利范围第109项之处理容器,其中由该控制器递送至每个阳极之电流系选择在处理之微电子工件上产生一比在该较早处理微电子工件上所产生者更均匀之电镀材料层。111.一种用以在微电子工件上电镀材料之方法,包括:引进该微电子工件之至少一表面至一电镀槽中;于该电镀槽中提供复数个阳极,该复数个阳极系以离电镀之微电子工件中至少一表面之不同距离作间隔;及用于每个该复数个阳极,感应一介于该阳极及该微电子工件之至少一表面间之电流,该感应电流系(a)根据一感应于该阳极及一先前电镀之微电子工件间之电流及(b)选来改进一得自该先前电镀微电子工件之电镀结果。112.如申请专利范围第111项之方法,其中大部份该电镀处理提供每个该复数个阳极一固定电流。113.如申请专利范围第111项之方法,进一步包括该步骤为提供一真正均匀标准电镀液流至该微电子工件之至少一表面。114.如申请专利范围第111项之方法,进一步包括该步骤为提供一真正均匀标准电镀液流至该微电子工件之至少一表面而没有一配置于该复数个阳极及该微电子工件之至少一表面间之中间扩散器。115.如申请专利范围第111项之方法,其中每个感应电流被选择来改进得自该先前电镀微电子工件之电镀均匀位准。116.如申请专利范围第111项之方法,其中每个感应电流被选择来改进得自该先前电镀微电子工件之电镀外形符合一目标电镀外形。117.如申请专利范围第111项之方法,进一步包括选择该感应电流。118.如申请专利范围第117项之方法,进一步包括执行该电镀系一用以选择该感应电流基础之敏感度分析。图式简单说明:第1图系一显示该最佳化器之输出入之处理程序示意图;第2图系一显示一由该最佳化器之某些实施例所使用之子校正系统之处理程序示意图;第3图系根据该最佳化器之一实施例建置一电化学处理系统之示意方块图;第4图系一显示其中第3图之最佳化器可使用一组预置敏感度値来产生一更精确电性参数组用以符合处理一微电子工件中之目标物理特征的一方式之流程图;第5图系一用于一多电极反应室之样本Jacobian敏感度矩阵图;第6图系一显示自用于该第一最佳化运转之输入中计算之新电流输出的空白表格程式图;第7图系一显示自用于该第二最佳化运转之输入中计算之新电流输出的空白表格程式图;第8图系一可用于第3图所示之反应器组件中之处理容器之一实施例概略图,并包含一与该处理流体流过该反应器室相关流速外形图示;第9及10图说明一可结合本发明使用之完整处理室组件之一实施例;第11及12图系第9及10图中该处理室实施例之电脑产生的流速轮廓之剖面图;第13及14图说明第9及10图中该处理室之一校正版;第15及16图说明可整合于根据本发明教示建置及操作之一或更多处理站之处理工具之二实施例。 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