发光装置及其制造方法

摘要

为了提供一明亮及高可靠度的发光装置，一阳极(102)、一EL层(1O3)、一阴极(104)、及一辅助电极(105)在一反射电极(101)上被逐次形成为叠层。此外，相对于可见辐射，该阳极(102)、该阴极(104)和该辅助电极(105)不是透明就是半透明。于此结构，EL层(103)里所产生的光几乎部被照射到阴极(104)之侧边，藉此一像素之有效发光面积被剧烈地增加。

主权项

1.一种主动矩阵发光装置,包含:一阳极;一阴极;一制备于该阳极与该阴极之间的EL层;及一制备以接触于该阳极的反射电极。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该阳极及该阴极对可见光而言是透明的。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该阳极包含一氧化物导电膜,而该阴极包含一对可见光而言为透明的金属膜。4.如申请专利范围第1项之装置,进一步包含一电气连接该反射电极的半导体元件。5.如申请专利范围第1项之装置,其中该阳极系制备于该反射电极上,及该EL层系制备于该阳极上,及该阴极系制备于该EL层上。6.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该发光装置系为由摄影机、头戴式显示器、影像播放机、一行动电脑、一个人电脑、一行动电话及一音响播放机所构成之群组中所选出的一电气设备所使用。7.一种发光装置,包含:一阳极;一阴极;一制备于该阳极与该阴极之间的EL层;及一制备以接触该阳极的反射电极;及一制备以接触该阴极的辅助电极。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该阳极、该阴极及该辅助电极对可见光而言是透明的。9.如申请专利范围第7项之装置,其中该辅助电极包含一氧化物导电膜。10.如申请专利范围第7项之装置,其中该阳极包含一氧化物导电膜,而该阴极包含一对可见光而言为透明的金属膜。11.如申请专利范围第7项之装置,更包含一电气连接该反射电极的半导体元件。12.如申请专利范围第7项之装置,其中该阳极系制备于该反射电极上,及该EL层系制备于该阳极上,该阴极系提供于该EL层上,及该辅助电极系制备于该阴极上。13.一种电气设备,包含:一阳极;一阴极;一EL层,制备于该阳极及该阴极之间;一反射电极,制备成与该阳极接触;及一辅助电极,制备成与该阴极接触。14.如申请专利范围第13项所述之电气设备,其中该电气设备系由摄影机、头戴式显示器、影像播放机、一行动电脑、一个人电脑、一行动电话及一音响播放机所构成之群组中所选出。15.一种制造一发光装置的方法,包含步骤有:形成一反射电极;形成一阳极于该反射电极上;形成一EL层于该阳极上;及形成一阴极于该EL层上。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该阳极是由一对可见光而言为透明的氧化物导电膜制成,而该阴极是由一对可见光而言为透明的金属膜制成。17.如申请专利范围第15项之方法,其中该反射电极被形成与一TFT电连接在一起。18.一种制造一发光装置的方法,包含步骤有:形成一反射电极;形成一阳极于该反射电极上;形成一EL层于该阳极上;形成一阴极于该EL层上;及形成一辅助电极于该阴极上。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该阳极和该辅助电极是由一对可见光而言为透明的氧化物导电膜制成,而该阴极是由一对可见光而言为透明的金属膜制成。20.如申请专利范围第18项之方法,其中该反射电极被形成与一TFT电连接在一起。图式简单说明:图1是显示一EL元件之剖面结构图;图2A到2B是显示一发光装置之剖面结构图;图3A到3E是显示该发光装置的一制造过程的示意图;图4A到4D是显示该发光装置的该制造过程的示意图;图5A到5B是显示该发光装置的一像素的一俯视结构及电路组态图;图6是显示该发光装置之剖面结构图;图7是显示该发光装置的一俯视结构图;图8A到8F是显示电子设备的特定例子;及图9A到9B是显示电子设备的特定例子。