| 主权项 |
1.一种半导体积体电路之不良检出方法,其特征在于:具有第一程序:抽出形成于半导体晶圆上的积体电路的不良位置资讯;第二程序:以前述半导体晶圆面内的空间重复单位叠合前述位置资讯;及第三程序:从由此叠合所算出的资料算出显示空间重复性不良程度的特征量者。2.如申请专利范围第1项之半导体积体电路之不良检出方法,其中具有下述程序:在实施前述第二程序之前,从由前述第一程序所抽出的前述位置资讯排除异常的位置资讯。3.如申请专利范围第2项之半导体积体电路之不良检出方法,其中由前述第一程序所抽出的前述位置资讯合计对于周围位置资讯大时,作为前述异常的位置资讯。4.如申请专利范围第1项之半导体积体电路之不良检出方法,其中设定门限値的程序及核对前述门限値和前述特征量,判定前述空间重复性不良。5.如申请专利范围第1项之半导体积体电路之不良检出方法,其中具有预先设定前述空间重复性不良的程序及算出显示空间性地偏倚存在的不良偏倚程度的特征量的程序,在显示前述预先设定的空间重复性不良存在的特征量不被检出且在显示前述空间性地偏倚存在的不良偏倚程度的特征量被检出的不良存在时,判定系前述预先设定的空间重复性不良以外的不良。6.如申请专利范围弟1项之半导体积体电路之不良检出方法,其中在包含以2个以上的特征量为成分的向量的几个向量空间,在前述几个向量空间内对于1个不良模式设定区域,藉由核对前述区域和以前述特征量为成分的向量,判定前述不良模式的存在。7.如申请专利范围第6项之半导体积体电路之不良检出方法,其中对于在设定于前述几个向量空间内的区域所显示的不良模式,算出标量的特征量。8.如申请专利范围第7项之半导体积体电路之不良检出方法,其中前述标量的特征量算出方法系在前述几个向量空间内设定前述不良模式程度的上限、下限及门限値区域,分配标量给前述上限、下限及门限値区域,藉由将前述上限、下限及门限値区域间内插,算出在任意点的特征量。9.如申请专利范围第8项之半导体积体电路之不良检出方法,其中前述内插的方法系关于在前述几个向量空间内的距离做线性插値。10.如申请专利范围第6项之半导体积体电路之不良检出方法,其中前述2个以上的特征量包含表现至少不良模式种类的特征量和表现晶圆面内的出现位置的特征量。l1.一种半导体积体电路之不良检出装置,其特征在于:具有第1计算部:抽出形成于半导体晶圆上的积体电路的不良位置资讯;第2计算部:以前述半导体晶圆面内的空间重复单位叠合前述位置资讯;及,第3计算部:从由此叠合所算出的资料算出显示空间重复性不良程度的特征量者。12.如申请专利范围第11项之半导体积体电路之不良检出装置,其中具有第4计算部:从由前述第1计算部所抽出的前述位置资讯排除异常的位置资讯。13.如申请专利范围第11项之半导体积体电路之不良检出装置,其中具有第5计算部:由前述第1计算部所抽出的前述位置资讯合计对于前述位置资讯周围的位置资讯大时,判定系前述异常的位置资讯。14.如申请专利范围第11项之半导体积体电路之不良检出装置,其中设定门限値的第6计算部及前述第3计算部核对前述门限値和前述特征量,判定前述空间重复性不良。15.如申请专利范围第11项之半导体积体电路之不良检出装置,其中具有第7计算部:预先设定前述空间重复性不良;及,第8计算部:算出显示空间性地偏倚存在的不良偏倚程度的特征量,具有第9计算部:在显示以前述第7计算部设定的前述空间重复性不良存在的特征量不被检出且在显示以前述第8计算部算出的空间性地偏倚存在的不良偏倚程度的特征量被检出的不良存在时,判定系以前述第7计算部设定的前述空间重复性不良以外的不良。图式简单说明:图1为起因曝光不良的自动检出流程图。图2为起因曝光制程不良存在的晶圆不良位元分布图。图3为说明不良数资讯在曝光单位叠合方法的晶圆平面图。图4为在曝光单位叠合均不良数分布图及一维分布化之图。图5为显示为了算出特征量的负载平均系数之图。图6为说明对于想要检出的不良图案的重复单位判定异常的图案的晶圆平面图。图7为显示不良位元分布图案和起因曝光不良特征量的分布图。图8为起因曝光制程不良图案的自动检出装置方块图。图9为外周不良的自动检出流程图。图10为外周不良存在的晶圆的不良位元分布图。图11为说明不良数资讯在同心圆单位叠合方法的晶圆平面图。图l2为不良数的晶圆面内半径方向分布图。图13为显示不良位元分布图案和外周不良特征量的分布图。图14为起因曝光及外周不良图案的自动检出装置方块图。图15为未预先设想的不良图案的自动检出流程图。图16为未预先设想的不良图案存在的晶圆的不良位元分布图。图17为未预先设想的不良图案的自动检出装置方块图。图18为显示利用图17的装置判定不良图案的结果的分布图。图19为显示将曝光单位的重复单位资讯输入到图17的装置的形式之图。图20为显示图17的装置输出以曝光单位叠合的资料的形式之图。图21为显示将同心圆单位的重复单位资讯输入到图17的装置的形式之图。图22为显示图17的装置输出以同心圆单位叠合的资料的形式之图。图23为显示不良图案对良率的影响度的算出程序的流程图。图24为算出不良图案对良率的影响度的装置方块图。图25为显示特定不良图案产生原因的程序的流程图。图26为特定不良图案产生原因的装置方块图。图27为核对装置经历和特征量求出的频数分布图。图28为核对QC资料和特征量求出的散布图。图29为起因晶圆中央曝光不良的不良位元分布图。图30为显示起因曝光不良的晶圆面内分布和特征量之图。图31为根据在特征量空间的起因曝光不良的面内分布的分类图。图32为修正在特征量空间的根据面内分布的起因曝光不良的判定门限値之图。图33为起因曝光不良和晶片性不良的不良位元分布图。图34为显示晶片性不良的特征量定义方法之图。图35为说明根据特征量检出晶片性不良之图。图36为起因曝光不良及对于晶片性不良的起因曝光不良的特征量分布图。图37为说明在特征量空间的无起因曝光不良的晶片性不良时的检出方法之图。图38为说明在特征量空间的包含起因曝光不良的一部分晶片性不良存在的区域时的检出方法之图。图39为说明藉由关于特征量空间内的距离的线性插値决定晶格点上的标量化特征量的方法之图。图40为显示在特征量空间的显示散粒性不良全体的区之图。图41为显示设定于特征量空间内的晶格点之图。图42为说明为了进行插値的晶格点设定方法之图。图43为显示在特征量空间定义的散粒性不良全体的标量特征量的等高线图。图44为说明为了算出显示面内均匀起因曝光不良的标量化特征量的晶格点设定方法之图。 |
