| 主权项 |
1.一种在制程完成时用以控制该晶片由一静电晶片座举升之晶片举升装置,其系在一晶片制程反应室中,该晶片举升装置包括:一柱举升轭,排列在一静电晶片座下,该柱举升轭具有一组柱状结构与之相连,该组柱状结构的设定系与该静电晶片座横向排列,且与该晶片之一底面相接触;一连杆,连接至该柱举升轭,该连杆系可移动,以使该柱举升轭及该组柱状结构在该静电晶片座之内移动,并与该晶片之该底面接触,且一旦与该晶片之该底面接触时,该组柱状结构可以将该晶片由该静电晶片座中举升;一马达,用以移动该连杆;以及一力量回授系统,用以限制在举升时由该组柱状结构施加至之该晶片之该底面的一力量。2.如申请专利范围第1项所述之晶片举升装置,其中该力量回授系统又包括:一应变测量计,用以决定由该组柱状结构对该晶片之该底面施加的力量;一数位信号处理器,用以接收有关于该力量的数据;一马达控制器,以控制该马达;以及一解码器。3.如申请专利范围第2项所述之晶片举升装置,其中该解码器系设定成将连杆位置数据与该马达控制器及数位信号处理器联系,因此该数位信号处理器可以指示该马达延迟移动该连杆,直到应力量降至一起始値以下为止。4.如申请专利范围第1项所述之晶片举升装置,又包括:一放电开关,该放电开关耦接至该柱举升轭及地端之间。5.如申请专利范围第4项所述之晶片举升装置,其中在该开关系设定为开闭,并提供该柱举升轭及地端间之一直接路径,以加速该静电晶片座之放电。6.如申请专利范围第4项所述之晶片举升装置,又包括:一电阻,该电阻耦接于该开关及地端之间。7.如申请专利范围第1项所述之晶片举升装置,又包括一可变电阻。8.如申请专利范围第1项所述之晶片举升装置,其中该连杆系一导螺杆,其受该马达所控制。9.一种基底举升装置,用以控制在制程完成后,由一静电晶片座举升之基底,该基底举升装置包括:一柱举升轭,具有一组柱状结构与其连接,该组柱状结构系设定成与该基底之一底面相接触;一导螺杆,连接至该柱举升轭;一马达,用以移动该导螺杆;以及一力量回授系统,该力量回授系统包括:一应变测量计,用以决定作用于该组柱状结构之一阻力;一数位信号处理器,用以接收有关该阻力之数据;一马达控制器,以控制该马达;以及一解码器,该解码器系设定成将导螺杆位置与该马达控制器及该数位信号处理器联系。10.如申请专利范围第9项所述之基底举升装置,其中该数位信号处理器延迟该马达对该导螺杆之移动,直到该阻力降到该基底之一起始値以下为止。11.如申请专利范围第10项所述之基底举升装置,又包括:一放电开关,该放电开关系耦接至该柱举升轭及地端之间。12.如申请专利范围第11项所述之基底举升装置,其中该放电开关系设定为关闭,并提供由该柱举升轭及地端之一直接路径,以加速该静电晶片座的放电。13.如申请专利范围第12项所述之基底举升装置,又包括:一电阻,该电阻耦至该开关及地端之间。14.如申请专利范围第10项所述之基底举升装置,又包括一可变电阻。15.一种用以在一制程操作完成后将一晶片由一静电晶片座中举升的方法,该方法包括:由该静电晶片座将一组柱状结构举向一不需要的晶片;达到该组柱状结构及该不需要的晶片之间的接触;施加一举升力量给该不需要的晶片;监视该举升力量;以及当所监视之该举升力量达到一起始値时,中断该举升力量。16.如申请专利范围第15项所述之方法,又包括:继续施加该举升力量给该不需要的晶片;以及当该晶片已被举升至一举升高度时终结该举升力量。17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该监视步骤系包括处理一应变阀。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该应变阀系用来决定是否起始値已达到。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该起始値系施加至该晶片后方举升力量最大値之信号。20.如申请专利范围第15项所述之方法,又包括:将该晶片之放电提升至地端。图式简单说明:第1A图绘示一半导体制程系统,包括一反应室,其用来实施半导体晶片之蚀刻操作。第1B图绘示一半导体制程系统单极性静电晶片座之详细图式。第1C图绘示一半导体制程系统双极性静电晶片座之详细图式。第1D图系一流程图,绘示出半导体制程系统中实施之离座操作。第2A图系一截面图,绘示出本发明之一实施例中与举升柱状结构接触之半导体举升元件。第2B图系一截面图,绘示出本发明之一实施例中作为举升晶片之举升柱状结构接触之半导体举升元件。第3图系一流程图,绘示本发明之一实施例中,使用一半导体晶片举升元件之离座操作。 |
