| 主权项 |
1.一种形成双镶嵌结构之方法,至少包括下列步骤:提供一基底,该基底上具有一介电层;在该介电层上形成一上盖层;在该上盖层上方形成一具有至少一沟槽图案之罩幕层;在该罩幕层及该上盖层上形成一具有至少一介层洞图案之光阻层,且该介层洞图案之位置系对应于该沟槽图案;将该介层洞图案转移至该上盖层及该介电层之上半部;去除该光阻层;将该沟槽图案转移至该上盖层及该介电层之上半部,且同时将该介层洞图案转移至该介电层之下半部;以及在该介电层之沟槽及介层洞中填入一导电层。2.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该基底包含一金属导线,该金属导线位于该介电层之该介层洞之下方。3.如申请专利范围第2项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该金属导线系一铜金属导线。4.如申请专利范围第2项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该基底之该金属导线上覆盖有一封盖层。5.如申请专利范围第4项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该封盖层之材质为氮化矽及碳化矽之任一种。6.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该罩幕层包含一抗反射层。7.如申请专利范围第6项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该抗反射层系一氮氧化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌结构之方法,更包括下列步骤:去除该罩幕层及该上盖层以露出该具有沟槽及介层洞之介电层表面;以及在该介电层上及其沟槽与介层洞表面顺应性形成一金属阻障层。9.如申请专利范围第8项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该金属阻障层系由钛、钽、氮化钛及氮化钽之任一种所构成。10.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该介电层系一低介电常数材料层。11.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该上盖层系由未掺杂矽玻璃、碳化矽及氟化矽之任一种所构成。12.如申请专利范围第11项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中藉由化学气相沉积法形成该上盖层且使用矽烷作为反应气体。13.如申请专利范围第11项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中藉由化学气相沉积法形成该上盖层且使用四乙基矽酸盐作为反应气体。14.如申请专利范围第11项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该上盖层之厚度在300到1500埃的范围。15.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该罩幕层系一氮化矽层。16.如申请专利范围第1项所述之形成双镶嵌结构之方法,其中该导电层系一铜金属层。图式简单说明:第1a到1d图系绘示出一习知形成双镶嵌结构方法之剖面示意图;第2a到2f图系绘示出根据本发明实施例之形成双镶嵌结构方法之剖面示意图。 |
