发明名称 金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法
摘要 本发明提出一种金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,适用于一透明基板上形成一薄膜电晶体,包括下列步骤:于该透明基板上形成该薄膜电晶体之一闸极电极;于该透明基板上沉积及蚀刻一金属层以形成该薄膜电晶体之一源极电极以及一汲极电极;以及于该蚀刻步骤后立即对于该透明基板进行水洗以防止该金属层受到腐蚀。
申请公布号 TW550697 申请公布日期 2003.09.01
申请号 TW091112835 申请日期 2002.06.12
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 陈世昆;李孝忠;侯建州;郭行健
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼;颜锦顺 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,适用于一透明基板上形成一薄膜电晶体,包括下列步骤:于该透明基板上沉积一金属层,并蚀刻该金属层以定义一闸极电极;以及于该蚀刻步骤后立即对于该透明基板进行水洗以防止该金属层受到腐蚀。2.如申请专利范围第1项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该金属层是为纯铝金属及其合金。3.如申请专利范围第1项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该水洗步骤包括使用去离子水。4.如申请专利范围第1项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该水洗步骤包括在一洗涤机中进行水洗,该洗涤机包括进水管、出水口及转盘,且该转盘可带动该透明基板产生旋转。5.一种金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,适用于一透明基板上形成一薄膜电晶体,包括下列步骤:于该透明基板上形成该薄膜电晶体之一闸极电极;于该透明基板上沉积及蚀刻一金属层以形成该薄膜电晶体之一源极电极以及一汲极电极;以及于该蚀刻步骤后立即对于该透明基板进行水洗以防止该金属层受到腐蚀。6.如申请专利范围第5项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该金属层是为纯铝金属及其合金。7.如申请专利范围第5项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该水洗步骤包括使用去离子水。8.如申请专利范围第5项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该水洗步骤包括在一洗涤机中进行水洗,该洗涤机包括进水管、出水口及转盘,且该转盘可带动该透明基板产生旋转。9.一种金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,适用于一透明基板上,包括下列步骤:于该透明基板上形成一闸极电极;于该闸极电极上依序沈积一绝缘层、一第一半导体层、一第二半导体层以及一金属层,并蚀刻该金属层、该第二半导体层以及该第一半导体层,以形成一源极电极以及一汲极电极,该源极电极与汲极电极间隔一通道,并使该通道中之第一半导体层暴露出来;以及于该蚀刻步骤后立即对于该透明基板进行水洗以防止该金属层受到腐蚀。10.如申请专利范围第9项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该金属层是为纯铝金属及其合金。11.如申请专利范围第9项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该水洗步骤包括使用去离子水。12.如申请专利范围第9项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该水洗步骤包括在一洗涤机中进行水洗,该洗涤机包括进水管、出水口及转盘,且该转盘可带动该透明基板产生旋转。13.一种金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,适用于一透明基板上形成一薄膜电晶体,包括下列步骤:于该透明基板上沉积一金属层;以及复数次蚀刻该金属层以形成该薄膜电晶体之一信号线、一源极电极以及一汲极电极,其中,于该各次蚀刻步骤后立即对于该透明基板进行水洗以防止该金属层受到腐蚀。14.如申请专利范围第13项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该金属层是为纯铝金属及其合金。15.如申请专利范围第13项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该水洗步骤包括使用去离子水。16.如申请专利范围第13项所述之金属层蚀刻制程腐蚀水洗预防法,其中,该水洗步骤包括在一洗涤机中进行水洗,该洗涤机包括进水管、出水口及转盘,且该转盘可带动该透明基板产生旋转。图式简单说明:第1图系显示于铝及其合金蚀刻后受到腐蚀之现象之光学照片。第2图系显示于铝及其合金蚀刻后受到腐蚀之现象之聚焦离子束照片。第3A至3E图系显示薄膜电晶体液晶显示器制作流程之剖面图。第4图系显示将透明基板放入一洗涤机中进行水洗之示意图。
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