发明名称 制造旋转阀结构的方法
摘要 本发明与一种用以制造GMR型式的旋转阀结构(1)之方法有关。此种结构包含磁性层(11a 11b)、一非磁性层(15)和一张磁性材料的感测层(17)所叠成。为了获得具有极佳GMR效果的旋转阀结构,本方法包含以下特定步骤:感测层强磁性材料的氧化;使铝质沈淀在氧化之强磁性材料上;利用氧化之强磁性材料上的氧使沈淀其上的铝质氧化。
申请公布号 TW550610 申请公布日期 2003.09.01
申请号 TW090114413 申请日期 2001.06.14
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 穆瑞 富腾 吉利斯;安东尼奥斯 艾米柳斯 帝欧朶勒斯 古伯
分类号 H01F41/30 主分类号 H01F41/30
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种制造强磁阻型旋转阀结构之方法,其结构包含一叠磁性层、非磁性层以及强磁性材料的感测层,此方法包括将铝质沉积于氧化的强磁性材料感测层上,再利用氧化的强磁性材料感测层中的氧将此铝质氧化为一层氧化铝薄膜的步骤。2.如申请专利范围第1项之方法,其中选择金属的Co,或CoFe合金,或NiFe合金作为形成感测层的强磁性材料。3.一种强磁阻型之旋转阀结构,其由如申请专利范围第1或2项之方法所获得,该结构包含一叠磁性层、非磁性层以及强磁性材料的感测层,该结构于该感测层的位置具有介面氧化。4.一种具有包含如申请专利范围第1或2项之方法所获得的旋转阀结构的转换器之读取头,该结构包含一叠磁性层、非磁性层以及强磁性材料的感测层,该结构于该感测层的位置具有介面氧化。5.一种具有如申请专利范围第1或2项之方法所获得的旋转阀结构之场感测器,该结构包含一叠磁性层、非磁性层以及强磁性材料的感测层,该结构于该感测层的位置具有介面氧化。6.一种具有包含如申请专利范围第1或2项之方法所获得的旋转阀结构的记忆体元件之磁性记忆体,该结构包含一叠磁性层、非磁性层以及强磁性材料的感测层,该结构于该感测层的位置具有介面氧化。7.一种自一磁性储存媒体读取资讯之装置,该装置包含一外框、以可旋转方式装设于该外框中用以执行一盘状资讯载体之一轴心、以及如申请专利范围第4项之读取头。8.一种电子电路,包含有一二极体排列及如申请专利范围第6项之磁性记忆体。图式简单说明:图1显示根据本发明之具体实施例的旋转阀结构断面图,图2显示根据本发明之读取头的具体实施例的透视图,图3以图示显示根据本发明之装置的具体实施例,图4显示根据本发明之磁性记忆体的具体实施例的透视图,以及图5显示根据本发明之电子电路的具体实施例。
地址 荷兰
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