发明名称 HOLLOW STRUCTURE IN AN INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A HOLLOW STRUCTURE IN AN INTEGRATED CIRCUIT
摘要 <p>Eine Hohlraumstruktur (100) in einer integrierten Schaltung weist auf eine erste Schicht (101), eine erste Schichtoberfläche (103) und auf dieser nebeneinander angeordnete Stege (104), welche Zwischenräume (401) einschliessen sowie eine zweite Schicht (105) und darauf eine dritte Schicht (106) aufweisen, mit einer einige der Zwischenräume (401) abschliessenden vierten Schicht (107), welche auf der dritten Schicht (106) angeordnet ist und eine zweite Schichtoberfläche (108) aufweist, und bei der mittels der vierten Schicht (107) nicht abgeschlossene Zwischenräume (401) mit elektrisch leitendem Material angefüllt sind.</p>
申请公布号 WO02071482(A8) 申请公布日期 2003.08.28
申请号 WO2002DE00554 申请日期 2002.02.15
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;PAMLER, WERNER;SCHWARZL, SIEGFRIED;GABRIC, ZVONIMIR 发明人 PAMLER, WERNER;SCHWARZL, SIEGFRIED;GABRIC, ZVONIMIR
分类号 H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;(IPC1-7):H01L23/522 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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