| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors mit einem mesaförmigen Schichtstapel und MOS-Transistor |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE19621244(C2) |
申请公布日期 |
2003.08.28 |
| 申请号 |
DE19961021244 |
申请日期 |
1996.05.25 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
EISELE, IGNAZ;KAESEN, FLORIAN |
| 分类号 |
H01L21/3105;H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/310;H01L29/423 |
主分类号 |
H01L21/3105 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
