发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines Halbzeugs für Leiterplatten |
摘要 |
Vefahren zum Herstellen eines Halbzeugs (30) für Leiterplatten mit Leiterbahnen unterschiedlicher Dicke. Das Verfahren umfaßt die folgenden Schritte: Vorsehen eines Substrats (1) mit einer Metallschicht (2); Ausdünnen der Metallschicht (2) im Bereich einer Oberfläche (3) auf einer Vorderseite (4) der Metallschicht (2) zum Ausbilden eines Teilbereichs (5) mit einer ersten Metallschichtdicke und eines anderen Teilbereichs (6) mit einer zweiten Metallschichtdicke, wobei die erste Metallschichtdicke kleiner als die zweite Metallschichtdicke ist; und Ausbilden einer im wesentlichen ebenen äußeren Oberfläche auf der Vorderseite (4) des Subtrats (1) mit Hilfe des Aufbringens einer Substratschicht (7) auf der Metallschicht (2), welche den Teilbereich (5) mit der ersten Metallschichtdicke und den anderen Teilbereich (6) mit der zweiten Metallschichtdicke jeweils zumindest teilweise bedeckt.
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申请公布号 |
DE10205592(A1) |
申请公布日期 |
2003.08.28 |
申请号 |
DE20021005592 |
申请日期 |
2002.02.11 |
申请人 |
KSG LEITERPLATTEN GMBH |
发明人 |
BECHTLOFF, UDO;SCHAUER, JOHANNES |
分类号 |
H05K1/02;H05K3/06;H05K3/10;(IPC1-7):H05K3/06;H05K3/20;H05K3/46 |
主分类号 |
H05K1/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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