| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif pour la mise en oeuvre d'un procédé selon lequel : les gaz de processus sont introduits au moyen d'un organe d'introduction de gaz (D) commun dans la chambre de processus où se trouve un support de substrat (S). L'organe d'introduction de gaz présente une surface de sortie de gaz qui est mise à la température voulue et qui présente, à la façon d'un tamis, une pluralité d'ouvertures de sortie de gaz. Le support de substrat s'étend dans le plan horizontal parallèlement à la surface de sortie de gaz et il est entraîné en rotation autour d'un axe vertical. L'écart séparant le support de substrat de la surface de sortie de gaz est au maximum de 75 mm. Un dispositif d'alimentation en gaz sert à amener les gaz réactifs qui sont constitués d'au moins un composé organométallique, d'au moins un hydrure et d'au moins un autre gaz. Au fur et à mesure que l'éloignement de l'organe d'introduction de gaz se réduit, les isothermes correspondant à la zone située au-dessus du support de substrat deviennent plus plates, cela ayant pour résultat une plus grande homogénéité desdites isothermes.</p> |
